ستستخدم Samsung تقنية TSMC 3 نانومتر لإنتاج شرائح الأساس المخصصة لـ Nvidia HBM

وفقًا لتقرير نُشر يوم الأحد في صحيفة "Seoul Economic Daily"، ستستخدم سامسونج إلكترونيكس تقنية تصنيع TSMC بدقة 3 نانومتر لإنتاج الرقائق القاعدية المخصصة لذاكرة HBM من الجيل التالي لشركة NVIDIA. ويمثل هذا التعاون المرة الأولى التي تتعاون فيها سامسونج مع TSMC في مرحلة تصنيع HBM. ونقلت الصحيفة عن مصادر في القطاع قولها إن NVIDIA طلبت من سامسونج وSK Hynix وMicron Technology استخدام عملية TSMC لتصنيع الرقائق القاعدية NVHBM، واستخدام الجيل السادس من تقنية DRAM لصنع شرائحها الأساسية. ووفقًا للشركة، فإن NVHBM التي سيتم إصدارها في أغسطس من هذا العام ستدمج وحدة التحكم المخصصة للذاكرة من NVIDIA في الرقاقة القاعدية، بهدف تحقيق تنفيذ معياري بين العديد من موردي الذاكرة. ووفقًا لما ذكرته "Seoul Economic Daily"، وافقت سامسونج بعد تقييم داخلي على طلب NVIDIA، ولكنها تخطط لمواصلة استخدام نموذج الإنتاج الذاتي لإنتاج HBM القياسية وكذلك المنتجات المخصصة لعملاء آخرين. وأضافت الصحيفة نقلًا عن مصادر أن سامسونج تقيّم أيضًا ما إذا كان بإمكان منشآتها الخاصة إنتاج الرقائق القاعدية NVHBM إذا تجاوز الطلب قدرة TSMC الإنتاجية.