38 miliardi di dollari! SK Hynix costruirà due nuove fabbriche di chip di memoria, con una capacità produttiva che verrà ampliata gradualmente in base alle esigenze dei clienti

Sull'onda dell'AI, il leader dei chip di memoria sta intensificando ulteriormente la sua strategia di espansione della capacità produttiva. SK海力士 ha annunciato che investirà circa 54,3 trilioni di won sudcoreani (circa 38,282 miliardi di dollari) per costruire due nuovi impianti di wafer a Yongin e Cheongju, in Corea del Sud, ampliando le basi produttive di DRAM e NAND e incrementando gradualmente la capacità secondo la domanda dei clienti per soddisfare la crescente richiesta di HBM e memorie avanzate guidata dall'intelligenza artificiale.

Il 7 agosto, secondo Yonhap News Agency, il Consiglio di Amministrazione ha approvato investimenti di 35,2 trilioni di won per il secondo impianto wafer a Yongin (Y2) e di 19,1 trilioni di won per la fabbrica M17 a Cheongju. SK海力士 ha affermato che, nell'era dell'AI, la capacità di fornire produzione tempestiva quando richiesta dai clienti è una vera competenza chiave.

Secondo il piano, entrambi gli impianti completeranno l'investimento entro il 2031 e la prima camera bianca dovrebbe essere operativa tra la fine del 2028 e il 2029. Questo significa che SK海力士 sta bloccando in anticipo la capacità di produzione di memoria avanzata per gli anni futuri, rafforzando la sua posizione di leadership nei mercati HBM e DRAM di nuova generazione.

Yongin Y2 focalizzato su HBM e DRAM di nuova generazione

Yongin Y2 è il secondo impianto wafer nel piano di cluster semiconduttori di SK海力士 a Yongin, con una superficie di circa 341.000 pyeong. La costruzione inizierà a luglio del prossimo anno, la prima camera bianca sarà operativa a giugno 2029, con produzione principalmente di HBM e altri prodotti DRAM di nuova generazione.

L'investimento riguarda non solo le strutture produttive, ma comprende anche un centro di ricerca integrato, strutture ricreative per i dipendenti e altri edifici ausiliari. Nel frattempo, l'impianto wafer Yongin Y1, attualmente in costruzione, sta procedendo bene; la prima camera bianca è prevista per febbraio prossimo.

È da notare che SK海力士 ha anticipato il piano complessivo di costruzione dei quattro impianti wafer del cluster semiconduttori di Yongin dal 2045 al 2033 e il completamento delle infrastrutture di base per la prima fase (Y2), come elettricità e acqua, ha raggiunto il 99%.

Cheongju M17 rafforza ulteriormente la produzione di NAND

L'altro investimento è destinato alla fabbrica M17 di Cheongju, con un totale di 19,1 trilioni di won, prevista per l'inizio lavori a febbraio prossimo, e apertura della prima camera bianca a dicembre 2028.

Cheongju è già la base di produzione NAND di SK海力士, con impianti come M11, M12, M15. La società afferma che il nuovo impianto sfrutterà appieno le risorse locali disponibili, come terreni, elettricità, acqua e l'esistente sistema di produzione, accelerando la costruzione e migliorando l'efficienza operativa grazie alla collaborazione produttiva.

Espansione guidata dalla domanda AI, ma il rilascio della capacità rimane graduale

Anche se l'investimento ha raggiunto un nuovo record, SK海力士 non rilascerà tutta la capacità produttiva in una sola volta, ma adotterà la strategia “infrastruttura prima, attrezzature secondo la domanda”.

La società intende completare prima la costruzione degli edifici e delle infrastrutture, mentre l'espansione delle camere bianche e l'investimento in macchinari si svolgeranno gradualmente secondo la domanda dei clienti e le condizioni di mercato, bilanciando la capacità di produzione e l'efficienza dei capitali.

Questa decisione rappresenta anche l'attuazione del piano degli investimenti a medio-lungo termine annunciato da SK海力士 a giugno scorso. Secondo quanto previsto, la società investirà cumulativamente circa 600 trilioni di won nel cluster di semiconduttori di Yongin, aggiungendo circa 100 trilioni di won alla base produttiva di Cheongju per sostenere la crescente domanda globale di chip di memoria nell’era dell’intelligenza artificiale.