Samsung Electronics raddoppierà la produzione di HBM4 e HBM4E l'anno prossimo.

Si prevede che la produzione della serie HBM4 di Samsung Electronics il prossimo anno raggiungerà almeno il doppio di quella di quest’anno, includendo sia la sesta generazione di memorie ad alta larghezza di banda (HBM4) sia la settima generazione di HBM (HBM4E). In precedenza, l’azienda prevedeva di aumentare la domanda di "substrato di vetro" a 2,5 volte quella di quest’anno. Il substrato di vetro è un supporto realizzato in vetro che sorregge le wafer durante l’assottigliamento delle DRAM utilizzate per HBM.Secondo notizie del settore dei semiconduttori del 20 giugno, Samsung Electronics aumenterà la quantità di pulizie in outsourcing di substrati di vetro, indispensabili nel processo produttivo di HBM, da 20.000 pezzi al mese di quest’anno a 50.000 pezzi al mese il prossimo anno. L’anno scorso erano necessari solo 10.000 pezzi al mese, il che significa che la quantità di quest’anno è già il doppio rispetto all’anno scorso, mentre il prossimo anno sarà 2,5 volte quella attuale.Il substrato di vetro è un supporto temporaneo che viene applicato sul lato inferiore delle wafer DRAM per HBM, utilizzato per prevenire la deformazione o la rottura delle wafer durante i processi di rettifica e perforazione. Poiché HBM deve impilare più die DRAM in uno spessore limitato, man mano che aumenta il numero di strati impilati, la tecnologia di assottigliamento e il controllo della deformazione delle wafer diventano ancora più cruciali.Samsung Electronics sta preparando l’espansione della produzione di HBM4 e HBM4E, concentrandosi su prodotti impilati a 12 strati e oltre. Gli analisti del settore ritengono che, anche considerando che i substrati di vetro sono riutilizzati dopo la pulizia e che il consumo può variare a seconda dei processi e del rendimento produttivo, un aumento della quantità a 2,5 volte comunque indica che la produzione di HBM4 e HBM4E molto probabilmente sarà almeno il doppio rispetto a quest’anno.A febbraio di quest’anno, Samsung Electronics ha iniziato la produzione di massa e la spedizione di HBM4, prodotto che utilizza DRAM di sesta generazione a 10nm (1c) e die base realizzati con processo produttivo a 4nm (nm equivale ad un miliardesimo di metro). A maggio, l’azienda ha inoltre fornito ai clienti, tra cui Nvidia, campioni di HBM4E 12-High.Il settore prevede che, misurando il volume medio di wafer utilizzati al mese, la capacità produttiva di HBM di Samsung Electronics aumenterà da circa 180.000 pezzi di quest’anno a circa 250.000 pezzi il prossimo anno, con una crescita vicina al 40%. Per quanto riguarda la ripartizione delle spedizioni per prodotto, si prevede inoltre che, con la produzione di massa su larga scala di HBM4E, la quota della serie HBM4 passerà da circa il 40% di quest’anno a circa l’80% il prossimo anno. Un esperto del settore ha spiegato: "Con l’espansione della produzione di HBM da parte di Samsung Electronics, sembra che l’azienda stia mettendo i prodotti a più alto valore aggiunto, come HBM4, al centro della propria strategia."