米陸軍はNavitasを次世代10 kV SiC IGBT技術の開発に選定

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Bitget2026/09/28 20:21

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Navitasは、米陸軍が支援するALATTIS賞を受賞し、次世代10 kVシリコンカーバイド電力半導体を開発します。
このプログラムは、関連するPiNダイオードを備えた10 kV SiC IGBTをターゲットとしており、SiCのロードマップをMOSFET製品以降に拡張します。
作業内容は、超高電圧SiCデバイスの新たな国内製造プロセスを検証することを目的に、設計、製造、試作テストを行います。
この取り組みは、トレンチ支援型平面デバイスアーキテクチャを基盤としたGeneSiCポートフォリオ（650 Vから6.5 kVまで）に基づいて構築されています。

免責事項: このニュース速報は、Public Technologies (PUBT) が生成AIを用いて作成したものです。PUBTは正確かつ迅速な情報の提供に努めておりますが、本AI生成コンテンツは情報提供のみを目的としており、金融・投資・法的助言として解釈すべきではありません。Navitas Semiconductor Corporationが元のコンテンツを2026年9月28日にGlobeNewswire（Ref. ID: 202609281615PRIMZONEFULLFEED9835322）を通じて公開しており、その内容について単独で責任を負います。

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