Navitasは米国陸軍のプログラムから10 kVシリコンカーバイド技術の開発を受託

04:40 PM EDT, 2026年9月28日（MT Newswires）-- Navitas Semiconductor (NVTS) は月曜日の夜、次世代10キロボルト シリコンカーバイド パワー半導体技術を開発するためのAccelerated, Large-Area, 10 kV SiC IGBT（ALATTIS）プログラムを受託したと発表しました。財務詳細は公表されていません。このプロトタイププロジェクトは、米国陸軍戦闘能力開発コマンド傘下のArmy Research Laboratoryがスポンサーを務め、設計、製造、試験を通じて超高電圧シリコンカーバイド パワー半導体デバイスの国内製造プロセスの開発と検証に注力します。