Wydajność HBM4 firmy Samsung (SSNLF.US) przekroczyła 80%, osiągając „złoty poziom wydajności”, a przychody w trzecim kwartale mogą wzrosnąć trzykrotnie.

Według doniesień, platforma Jinshi Finance APP poinformowała, że wydajność (ang. yield) w produkcji szóstej generacji pamięci o wysokiej przepustowości HBM4 firmy Samsung Electronics (SSNLF.US) wzrosła z niespełna 60% na początku produkcji masowej do około 80%, osiągając wcześniej wyznaczony cel końcoworoczny. Przemysł określa 80% wydajności mianem „złotego poziomu”, co oznacza, że Samsung zrobił znaczący krok w kierunku rentowności oraz masowej dostawy HBM4.

W lutym tego roku Samsung jako pierwszy na świecie rozpoczął masowe dostawy HBM4, jednak początkowa wydajność nie przekraczała 60%. Po około półrocznej optymalizacji procesu technologicznego, wydajność ta ustabilizowała się na wysokim poziomie. Według źródeł branżowych cytowanych w raporcie, Samsung pierwotnie planował osiągnąć 80% wydajności do końca 2026 roku, a obecne tempo znacznie wyprzedza założenia.

Jako główny powód poprawy wydajności raport wskazuje na udoskonalenia w technologii termokomprymowanego nieprzewodzącego filmu (TC-NCF); inni analitycy podkreślają również istotny wzrost wydajności bazowych chipów 1c DRAM stosowanych w HBM4.

Dzięki osiągnięciu „złotego poziomu” wydajności, prognozy rozszerzenia mocy produkcyjnych i poprawy rentowności Samsunga znacząco się umocniły. Firma zapowiedziała, że w trzecim kwartale przychody z HBM4 wzrosną ponad trzykrotnie w ujęciu kwartalnym, a w drugiej połowie roku HBM4 będzie odpowiadać za ponad 60% całkowitych przychodów Samsunga z pamięci HBM. Jeśli chodzi o udział w rynku, Samsung ustalił cel na koniec roku na poziomie około 38%, co odpowiada jego udziałowi w segmencie DRAM.

Analitycy uważają, że wzrost produkcji HBM4 nie tylko silnie wesprze produkcję nowej generacji akceleratorów AI Vera Rubin firmy Nvidia (NVDA.US), lecz także przyczyni się do dywersyfikacji łańcucha dostaw największych klientów, takich jak Nvidia, i zmniejszenia ich zależności od pojedynczego dostawcy.

Profesor Lee Jong-hwan z Wydziału Inżynierii Półprzewodników Systemowych na Sangmyung University w Korei Południowej podkreślił, że z perspektywy kluczowych klientów, takich jak Nvidia, dywersyfikacja źródeł zaopatrzenia w łańcuchu dostaw jest wyraźnie korzystniejsza niż uzależnienie od jednego dostawcy. Jeśli Samsung w pełni wykorzysta możliwości rozszerzenia skali dostaw HBM4, może szybko umocnić swoją dominującą pozycję na rynku.

Warto zaznaczyć, że konkurent Samsunga, SK Hynix (SKHY.US), również poczynił szybkie postępy w obszarze HBM4. Według branżowych szacunków, wydajność produkcji SK Hynix dla HBM4 także sięga około 80%. Dzięki bogatemu doświadczeniu w masowej produkcji kilku generacji HBM oraz unikatowej technologii zaawansowanego formowania powrotnego z wypełnieniem dolnym MR-MUF, eksperci oczekują, że SK Hynix jeszcze w tym roku bez przeszkód zwiększy swoje moce produkcyjne.