Samsung ogłasza plan rozwoju pamięci nowej generacji: wydajność HBM5 dwukrotnie wyższa niż HBM4E, zHBM przyspiesza wydajność ośmiokrotnie
Proces produkcji podstawowych chipów HBM5 został podniesiony do 2 nanometrów, celem jest osiągnięcie dwukrotnej wydajności względem HBM4E, zwiększenie wydajności na wat o 20%, a także zmniejszenie oporu cieplnego o 20%. Masowa produkcja przewidywana jest na 2028 rok. Całkowicie nowa architektura zHBM, docelowa wydajność to 8 razy wyższa niż HBM4E, wydajność na wat wzrosła trzykrotnie, opór cieplny zmniejszony od 75% do 90%, premiera przewidywana po 2029 roku.
Samsung Electronics ujawnił szczegółową mapę drogową nowych generacji wysokoprzepustowej pamięci (HBM) oraz architektury przyszłych pamięci podczas SEMICON Taiwan 2026. Plan obejmuje technologie takie jak HBM5, zHBM i zNAND-O, pokazując długoterminową strategię koreańskiego giganta w rynku przechowywania danych dla infrastruktury AI.
Wiceprezes ds. planowania produktów pamięci w przedsiębiorstwie Samsung, Jangseok Choi, poinformował podczas wydarzenia 1 września, że HBM5 ma na celu osiągnięcie dwukrotnej wydajności względem HBM4E, poprawę wydajności na wat o 20%, jednocześnie obniżając opór cieplny o 20%. Część związanych z tym osiągów była już ujawniona podczas Hot Chips 2026 w sierpniu.
Jednocześnie Samsung ogłosił prace nad zupełnie nową architekturą zHBM, której celem jest osiągnięcie 8-krotnej wydajności w stosunku do HBM4E, 3-krotnego wzrostu wydajności na wat oraz redukcji oporu cieplnego o 75% do 90%.
Seria tych technologicznych ulepszeń bezpośrednio odpowiada na rosnące zapotrzebowanie na wysoką przepustowość i chłodzenie spowodowane przez szybki rozwój mocy obliczeniowej akceleratorów AI. Ma to kluczowe znaczenie dla łańcucha dostaw chipów AI oraz inwestycji infrastrukturalnych.
HBM5: Proces technologiczny na poziomie 2 nm, produkcja masowa przewidywana na 2028 rok
Według doniesień, HBM5 ustala za cel dwukrotną wydajność względem HBM4E, ze znaczącą poprawą w efektywności energetycznej i zarządzaniu ciepłem. Samsung zmodernizuje proces technologiczny podstawowego chipu HBM5 (base die) z 4 nm, stosowanego przy HBM4 i HBM4E, do własnego 2-nanometrowego węzła, co stanowi ważny krok w rozwoju technologii HBM.
Jeśli chodzi o liczbę warstw, Samsung planuje dla HBM5 trzy opcje stosów DRAM: 12, 16 oraz 20 warstw, dostosowane do różnych scenariuszy aplikacyjnych w zakresie pojemności i wydajności. Masowa produkcja oczekiwana jest po HBM4E, mniej więcej około 2028 roku.
Redukcja oporu cieplnego o 20% jest szczególnie istotna — wraz ze wzrostem zużycia energii przez akceleratory AI, możliwości chłodzenia HBM stają się coraz bardziej wąskim gardłem w systemach, a ta poprawa sprzyja stabilnej pracy systemów wysokiej wydajności.
zHBM: Przełomowa architektura, pamięć bezpośrednio nakładana na procesor
Samsung pozycjonuje zHBM jako zupełnie nową architekturę w odróżnieniu od tradycyjnego HBM. Klasyczna HBM umieszcza pamięć obok akceleratora AI (xPU), podczas gdy zHBM nakłada pamięć bezpośrednio na wierzch procesora, radykalnie skracając ścieżkę przesyłania danych i zapewniając wyższą przepustowość oraz lepszą efektywność energetyczną.
Celem Samsunga jest osiągnięcie przez zHBM 8-krotnej wydajności HBM4E, trzykrotnej poprawy wydajności na wat, oraz redukcji oporu cieplnego w przedziale od 75% do 90%. Jeśli uda się zrealizować te parametry, zHBM zrewolucjonizuje gęstość przepustowości i efektywność energetyczną w stosunku do obecnych architektur HBM.
zHBM przewiduje się na czas po 2029 roku, reprezentując długoterminowy plan technologiczny Samsunga.
zNAND-O: Gęstość NAND przy prędkości zbliżonej do DRAM
W dziedzinie pamięci NAND, Samsung również prezentuje nowatorskie rozwiązania. Dostawy próbek zNAND-O planowane są na 2028 rok, przy czym celem jest uzyskanie 10-krotnej gęstości względem DRAM, a także 7-krotnej poprawy przepustowości odczytu i efektywności energetycznej wobec NAND.
Technologia powstała po to, by sprostać wymaganiom generatywnej AI oraz dużych modeli językowych (LLM), które potrzebują zarówno "szybkości DRAM, jak i pojemności NAND" — wraz ze wzrostem rozmiaru modeli, kompromisy pomiędzy prędkością a pojemnością obecnych architektur pamięci stają się jednym z głównych ograniczeń w skuteczności i efektywności treningu oraz inferencji AI.
Strategia CUBE: Pojemność, wykorzystanie, przepustowość i efektywność w czterech wymiarach
Podczas Memory Executive Summit odbywającego się równolegle z SEMICON Taiwan 2026, Samsung szczegółowo przedstawił swoje ramy strategiczne o nazwie "CUBE".
Jangseok Choi wyjaśnił, że strategia ta skupia się na czterech kluczowych priorytetach: pojemność (Capacity), wykorzystanie (Utilization), przepustowość (Bandwidth) oraz efektywność (Efficiency).
W zakresie pojemności Samsung planuje pionową ekspansję pamięci, zwiększając gęstość bez powiększania powierzchni zajmowanej przez drukowaną płytkę obwodową (PCB);
W zakresie wykorzystania, firma pozycjonuje wartość pamięci 3D ponad samą ilość warstw, skupiając się na optymalizacji architektury logicznej i pamięciowej w celu redukcji opóźnień;
Jeśli chodzi o przepustowość, Samsung zamierza zastąpić poziome ścieżki danych pionowymi szybkimi kanałami, skracając dystans pomiędzy chipami;
W zakresie efektywności, skupia się na zużyciu energii i zarządzaniu ciepłem, minimalizując energię przesyłania każdego bitu danych oraz maksymalizując wydajność na wat.
Ramy CUBE pokazują, że Samsung dąży do zintegrowanego i systemowego podejścia w rozwoju produktów pamięci następnej generacji, nie ograniczając się do pojedynczych parametrów.
Zastrzeżenie: Treść tego artykułu odzwierciedla wyłącznie opinię autora i nie reprezentuje platformy w żadnym charakterze. Niniejszy artykuł nie ma służyć jako punkt odniesienia przy podejmowaniu decyzji inwestycyjnych.
Może Ci się również spodobać
„Nowy Federalny Dziennik” : Rezerwa Federalna USA prawdopodobnie podniesie stopy procentowe w przyszłym tygodniu, ale jednorazowa podwyżka nie rozwiąże problemu
Nick Timiraos z "nowych komunikatów Fed" napisał ostatnio, że inwestorzy są już praktycznie przekonani, iż Fed dokona w przyszłym tygodniu pierwszej od trzech lat podwyżki stóp procentowych, a trudniejsze pytanie dotyczy tego, co będzie potem. Ponieważ prawie nikt w Fed nie uważa, że jednorazowa podwyżka o 25 punktów bazowych wystarczy, aby obniżyć inflację, decyzja o podwyżce w przyszłym tygodniu oznacza uznanie, że wcześniejszy poziom stóp był błędny, a pojedyncza podwyżka nie rozwiąże problemu. Od lat 90. XX wieku Fed tylko raz dokonał „jednorazowej” podwyżki stóp.
W chwili, gdy liczba netto długich pozycji na WTI osiągnęła najwyższy poziom od 20 tygodni, administracja Trumpa rozważa użycie Ustawy o Produkcji Obronne j w celu zwiększenia zdolności rafinacji.
Wyżsi rangą menedżerowie rafinerii twierdzą, że budowa nowych rafinerii zajmuje kilka lat, dlatego preferują zwiększenie wydajności istniejących zakładów. Obecnie średnia cena diesla w USA po raz pierwszy przekroczyła 6 dolarów za galon, ceny benzyny utrzymują się na wysokim poziomie, a wskaźnik wykorzystania rafinerii sięga około 98%. Według danych CFTC, w tygodniu zakończonym 8 września pozycje netto długie na NYMEX WTI osiągnęły 20-tygodniowe maksimum, a pozycje netto długie na benzynę osiągnęły 9-miesięczne maksimum.
Po CPI banki inwestycyjne masowo „drą raporty”: obóz bez podwyżek stóp w tym roku „kapituluje”, jastrzębie zakładają trzy podwyżki do stycznia przyszłego roku
TD Securities prognozuje najbardziej jastrzębi zwrot – z przewidywań utrzymania stóp procentowych przez cały rok na trzykrotną podwyżkę do stycznia przyszłego roku. JPMorgan przewiduje podwyżki stóp we wrześniu i grudniu, z przerwą w październiku. Mitsubishi UFJ spodziewa się przerwy po wrześniowej podwyżce i około 60% szans na kolejną podwyżkę w grudniu. Citibank: Po podwyżce we wrześniu brak zmian, a obniżka stóp procentowych ponownie w czerwcu przyszłego roku.
Powrót po spadku o 67%! Gwiazda inwestycji AI Aschenbrenner wraca na rynek, stawiając na SK Hynix, AMD i inne
Według doniesień medialnych, fundusz hedgingowy Situational Awareness należący do Leopolda Aschenbrennera powrócił na rynek opcji, kupując opcje o wartości setek milionów dolarów. Transakcje dotyczą takich instrumentów jak SK hynix, SanDisk, AMD, Bloom Energy oraz Oracle. Tym razem strategia inwestycyjna koncentruje się na niskim lewarze oraz wykorzystaniu spersonalizowanych narzędzi opcyjnych, a maksymalna strata ogranicza się tylko do zapłaconej premii opcyjnej.
Ceny krypto
Więcej
