38 миллиардов долларов! SK Hynix строит два новых завода по производству чипов памяти, мощности будут постепенно расширяться в зависимости от спроса клиентов

На фоне волны развития искусственного интеллекта ведущий производитель микросхем памяти продолжает расширять производственные мощности. SK Hynix объявила о вложении примерно 54,3 триллиона южнокорейских вон (около 38,282 миллиарда долларов США) в строительство двух новых заводов по производству кремниевых пластин в городах Йонъин и Чхонжу, с целью расширения производственных баз DRAM и NAND, а также постепенного увеличения мощностей согласно запросам клиентов для удовлетворения растущего спроса на HBM и передовые виды памяти, вызванного развитием искусственного интеллекта.

7 августа, согласно данным Yonhap News Agency, совет директоров компании уже одобрил инвестиции в размере 35,2 триллиона вон на строительство второго завода по производству пластин в Йонъине (Y2) и 19,1 триллиона вон на фабрику M17 в Чхонжу. SK Hynix отметила, что в эпоху искусственного интеллекта возможность своевременно предоставлять необходимую производственную мощность в нужный момент становится важнейшим конкурентным преимуществом.

Согласно плану, инвестиции в оба завода будут завершены до 2031 года, а первая чистая комната должна начать работу в конце 2028 — начале 2029 годов. Это означает, что SK Hynix заранее закрепляет производственные мощности передовых типов памяти на несколько лет вперёд, чтобы укрепить своё лидирующее положение на рынке HBM и следующего поколения DRAM.

Йонъин Y2: фокус на HBM и новом поколении DRAM

Йонъин Y2 — это второй по счету завод по производству пластин в рамках полупроводникового кластера SK Hynix в Йонъине, с площадью застройки около 341 тысячи пхён. Ожидается, что строительные работы начнутся в июле следующего года, а первая чистая комната будет введена в эксплуатацию в июне 2029 года; на этом предприятии будут в основном производиться HBM и другие продукты следующего поколения DRAM.

Инвестиции предусматривают не только производственные объекты, но и строительство комплексного научно-исследовательского центра, инфраструктуры для персонала и других вспомогательных зданий. Одновременно, строительство первой фазы завода по производству пластин в Йонъине (Y1) идет по графику, первая чистая комната ожидается к использованию в феврале следующего года.

Примечательно, что SK Hynix ускорила общий график строительства всех четырёх заводов кластера в Йонъине — с 2045 года на 2033 год. В настоящее время уровень готовности базовой инфраструктуры (электричество, водоснабжение и другое) для поддержки работы Y2 составляет уже 99%.

Чхонжу M17: дальнейшее совершенствование мощностей по NAND

Другая часть инвестиций пойдет на фабрику M17 в Чхонжу, общий объем вложений составит 19,1 триллиона вон, строительство планируется начать в феврале следующего года, а первую чистую комнату — открыть в декабре 2028 года.

Чхонжу давно является производственной базой SK Hynix по выпуску NAND флеш-памяти, где уже расположены заводы M11, M12, M15 и другие. Компания сообщает, что на новом заводе максимально будут использованы уже существующие земельные участки, энергоснабжение, водоснабжение и другие инфраструктурные и производственные системы, что позволит ускорить строительство и повысить эффективность работы за счет производственной синергии.

Спрос со стороны AI стимулирует расширение производства, но темпы сохранены

Несмотря на рекордный объем инвестиций, SK Hynix не будет сразу полностью вводить все мощности, а продолжит стратегию "сначала инфраструктура, оборудование по мере необходимости".

Компания планирует сначала завершить строительство заводских и вспомогательных объектов по графику, а расширение чистых комнат и вложения в производственное оборудование будут осуществляться поэтапно, в соответствии с потребностями клиентов и изменениями рыночной конъюнктуры, что позволит одновременно обеспечивать поставки и контролировать эффективность капитальных затрат.

Это решение является дальнейшей реализацией среднесрочной и долгосрочной инвестиционной стратегии SK Hynix, объявленной в июне этого года. В соответствии с планом, компания в будущем инвестирует в кластер полупроводников в Йонъине в общей сложности около 600 триллионов вон, а также дополнительно вложит примерно 100 триллионов вон в производственную базу Чхонжу, чтобы поддержать растущий мировой спрос на микросхемы памяти в эпоху искусственного интеллекта.