Всплеск спроса на хранение данных для AI провоцирует волну расширения производства! Kioxia планирует построить третий завод по производству полупроводниковых пластин в префектуре Иватэ, Япония.

По данным приложения Zhitong Finance, как сообщили осведомленные источники, японский гигант по производству накопительных микросхем Kioxia строит новый завод по выпуску пластин в своем производственном комплексе на севере Японии в префектуре Иватэ с целью увеличения производственных мощностей и удовлетворения продолжающегося высокого спроса на решения хранения данных, связанных с искусственным интеллектом (AI). Один из источников сообщил, что Kioxia планирует объявить о расширении производства позднее в четверг.

Производитель чипов с штаб-квартирой в Токио намерен на объекте в Иватэ выпускать высококлассные NAND-чипы для дата-центров, тогда как другой его основной завод в Йоккаити, префектура Миэ, сосредоточится на выпуске чипов для потребительских продуктов, таких как смартфоны.

По словам источников, новый завод станет третьим на этом производственном комплексе и будет в первую очередь выпускать новейшие высокоплотные 3D-флеш-микросхемы компании, что необходимо для обработки массивных объемов данных, генерируемых AI-сервисами. В прошлом месяце Kioxia уже начала поставлять образцы своих десятого поколения BiCS FLASH 3D-флеш-микросхем ведущим операторам AI-дата-центров. Этот флеш-чип TLC емкостью 1 Tbit с 332-слойной структурой производится исключительно на заводе Fab2 Kioxia в Китаками, префектура Иватэ.

Выпуск Kioxia флеш-чипа BiCS10 стал серьезным прорывом в технологической дорожной карте компании. По сравнению с восьмым поколением BiCS FLASH десятая версия достигла ряда ключевых улучшений: количество слоёв увеличено с 218 до 332, плотность хранения превышает 29 Gb/мм², что на 59% выше по сравнению с BiCS8. Интерфейс ввода-вывода поддерживает стандарт Toggle DDR6.0 с максимальной скоростью 4800 MT/s, что на 33% выше предыдущего поколения. Энергопотребление также было значительно оптимизировано: энергопотребление при выводе снижено на 34%, энергоэффективность при чтении улучшена на 30%, энергопотребление при вводе уменьшено на 10%, энергоэффективность при записи возросла на 18%.

В плане архитектуры BiCS10 полностью унаследовал две ключевые базовые технологии, внедренные в восьмом поколении: непосредственное соединение CMOS с массивом (CBA) и управление шагом затвора (OPS). Архитектура CBA позволяет изготавливать пластины памяти и логики CMOS отдельно и затем соединять их, что преодолевает ограничения разводки традиционных монолитных пластин и значительно увеличивает максимальное количество слоёв. Сохранение такой отработанной технологической схемы означает, что нет необходимости полностью перестраивать производственные линии, и сроки набора объёмного производства новых изделий будут существенно сокращены. В сообщении Kioxia отмечается, что эти новые продукты в первую очередь будут интегрированы в корпоративные и дата-центровые твердотельные накопители (SSD) для удовлетворения быстро растущих требований рынка AI к высокой производительности, большой ёмкости и низкому энергопотреблению.

Ожидается, что инвестиции будут осуществляться совместно с производственным партнером SanDisk (SNDK.US). Источники добавили, что Kioxia и SanDisk планируют обратиться за субсидией к японскому правительству. В последние годы Япония оказывает финансовую поддержку компаниям, расширяющим производство микросхем в стране, включая TSMC (TSM.US), Sony (SONY.US) и Micron Technology (MU.US). Генеральный директор Kioxia Такао Ота и CEO SanDisk David Goeckeler планируют нанести визит премьер-министру Японии Санаэ Такаичи в четверг во второй половине дня.

Kioxia сталкивается со всё возрастающим давлением по наращиванию выпуска продукции, чтобы удовлетворить спрос, формируемый много- и сверхдолгосрочными контрактами. Настоящее объявление следует вскоре за масштабными планами расширения производства у южнокорейских конкурентов и продолжающимся ростом рыночной доли китайской Yangtze Memory Technologies (YMTC). Согласно последним данным аналитического агентства Counterpoint Research, китайский гигант по выпуску NAND-хранения YMTC быстро наращивает свою долю на мировом рынке 3D NAND и во втором квартале 2026 года выйдет на третье место в мире по объёмам отгрузок — сразу после двух мировых лидеров из Южной Кореи, Samsung Electronics и SK hynix.