Công nghệ Hybrid Bonding của Samsung dự kiến sẽ được sử dụng trong bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo của NVIDIA, Feynman, với chip sử dụng HBM tùy chỉnh.

BlockBeats News, ngày 21 tháng 7, Samsung Electronics đã bắt đầu xây dựng dây chuyền sản xuất hàng loạt liên kết Die-to-Wafer (D2W) tại nhà máy Pyeongtaek P5, nhắm trực tiếp vào đóng gói tiên tiến cho HBM thế hệ tiếp theo và bán dẫn logic. Nhà cung cấp thiết bị chính là Besi có trụ sở tại Hà Lan. Samsung dự kiến mua khoảng 50 máy liên kết hybrid, mỗi máy có giá khoảng 60 tỷ Won Hàn Quốc (tương đương 43 triệu USD), gấp đôi giá của các sản phẩm cạnh tranh. Tuy nhiên, do Samsung yêu cầu điều chỉnh thiết kế thiết bị theo yêu cầu, tiến trình đàm phán diễn ra chậm. Besi cũng cung cấp thiết bị cho TSMC và Micron cùng lúc, nên họ thận trọng trong việc tùy chỉnh máy chỉ cho riêng Samsung.

Samsung cũng đang cân nhắc các lựa chọn nội địa: công ty con SEMES đã hoàn thành phát triển các máy liên kết hybrid D2W và gửi mẫu để xác minh vào đầu năm nay; Hanwha Semitech đã hoàn thành phát triển thế hệ thứ hai 'SHB2 Nano' vào tháng 2, và vào tháng 4, mẫu đã được gửi đến SK hynix. Hệ thống cụm của họ, tích hợp mô-đun EFEM, kích hoạt plasma và làm sạch, đã tạo ra lợi thế cạnh tranh khác biệt.

Công nghệ này sử dụng liên kết đồng hybrid để thay thế liên kết nhiệt nén truyền thống, cho phép liên kết trực tiếp đồng với vật liệu điện môi, giúp rút ngắn đáng kể độ dài kết nối. Ứng dụng chủ chốt là cho HBM tùy chỉnh, trong đó lớp DRAM HBM được xếp chồng dọc trực tiếp lên chip logic chứa mạch tính toán và IP của khách hàng để tạo thành gói hệ thống 3D cấp độ.

Chuyên gia phân tích Citrini Jukan cho biết liên kết hybrid dự kiến sẽ được sử dụng trong bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo Feynman của NVIDIA, sẽ áp dụng HBM tùy chỉnh. Thời gian triển khai công nghệ đã bị "hoãn lại từ HBM4E". Nội bộ tại Samsung ước tính ứng dụng quy mô lớn có thể đạt được vào khoảng năm 2029 đến 2030, phù hợp với thời gian dự kiến ra mắt Feynman của NVIDIA.