Samsung (SSNLF.US) ra mắt công nghệ bộ nhớ 3D “bom tấn”: 400 lớp V-NAND và khái niệm zHBM lần đầu xuất hiện, hướng đến ngôi vương bộ nhớ AI

智通财经APP cho biết, vào thứ Ba theo giờ địa phương, tại hội nghị "Bộ nhớ và Lưu trữ Tương lai" diễn ra ở Santa Clara, California, Samsung Electronics (SSNLF.US) đã tập trung trình diễn các công nghệ bộ nhớ thế hệ tiếp theo dành cho kỷ nguyên trí tuệ nhân tạo (AI), bao gồm mẫu thử nghiệm V10 BV-NAND hơn 400 lớp, bộ nhớ băng thông cao xếp chồng dọc zHBM, cũng như kiến trúc zNAND-O. Samsung nỗ lực củng cố vị trí dẫn đầu trên thị trường chip lưu trữ trị giá gần 1 nghìn tỷ USD, đồng thời đẩy nhanh tốc độ bắt kịp SK hynix và Micron Technology (MU.US), hai công ty đang dẫn đầu trong lĩnh vực bộ nhớ AI.