韩国存储产能再扩张 长鑫存储追赶步伐加快
韩国央行周五发布报告称,随着三星电子和SK海力士积极扩建本土设施,韩国在存储芯片产能方面的领先优势有望进一步扩大。
智通财经APP获悉,韩国央行周五发布报告称,随着三星电子和SK海力士积极扩建本土设施,韩国 在存储芯片产能方面的领先优势有望进一步扩大。报告显示,到2028年,新芯片工厂投产有望使韩国晶圆月产能增加约60万片。同期,中国领先的存储芯片制造商长鑫存储的晶圆月产能可能从目前的30万片提升至60万片。
长鑫存储正在建设上海晶圆厂。韩国央行表示,随着中国厂商提高自给率并强化国内供应链,韩国在长期内的市场份额可能面临日益增长的结构性压力。
在先进存储芯片领域,韩国央行报告预计,韩国在未来数年内仍将保持技术优势。
据悉,今年6月,韩国政府宣布一项规模至少8800亿美元的长期投资计划,由三星电子、SK集团和Naver等企业参与,重点布局半导体产能扩张、AI数据中心建设以及实体人工智能(Physical AI)基础设施。政府与企业的共同目标,是在五年内把存储产能翻倍。
市场研究机构Counterpoint Research的最新报告显示,长鑫存储2026年第二季度在全球DRAM市场营收占比达到10%,正式坐稳全球第四大DRAM供应商位置。在头部厂商方面,三星电子继续以39%的市场份额保持全球 DRAM 市场第一;SK海力士份额从去年同期的39%降至26%,但其季度营收同比仍增长了214%。美光以25%的份额紧随其后。
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