三星将采用台积电3纳米工艺生产英伟达定制HBM基底裸片

据《首尔经济日报》周日报道，三星电子将采用台积电的3纳米制程，为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片。此举将标志着三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。该报援引业界消息人士的话称，英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电的工艺制造NVHBM基底裸片，并采用第六代DRAM技术制造其核心芯片。据该公司称，今年8月发布的NVHBM将英伟达的定制内存控制器集成到基片中，旨在实现跨多家内存供应商的标准化实施。据《首尔经济日报》报道，三星在经过内部评估后接受了英伟达的要求，但计划继续采用自主生产模式来生产标准HBM以及面向其他客户的定制产品。该报援引消息人士的话称，三星还在评估，如果需求超过台积电的产能，其自有代工厂是否能够生产NVHBM基底裸。