三星(SSNLF.US)展示3D記憶體「技術核彈」：400層V-NAND與zHBM概念首次亮相，直指AI記憶體王座

智通財經APP獲悉，當地時間週二，三星電子（SSNLF.US）在美國加州聖克拉拉舉行的「未來內存與存儲」大會上，集中展示了面向人工智能（AI）時代的下一代內存技術，包括超過400層的V10 BV-NAND原型、垂直堆疊式高頻寬內存zHBM以及zNAND-O架構，力圖在接近1萬億美元規模的存儲晶片市場中鞏固領先地位，並加速追趕在AI內存領域具有先發優勢的SK海力士與美光科技（MU.US）。