三星（SSNLF.US）展示3D記憶體“技術核彈”：400層V-NAND與zHBM概念首次亮相，直指AI記憶體王座

智通財經APP獲悉，當地時間週二，Samsung Electronics(SSNLF.US)在美國加州聖克拉拉舉行的「未來記憶體與儲存」大會上，集中展示了面向人工智能(AI)時代的下一代記憶體技術，包括超過400層的V10 BV-NAND原型、垂直堆疊式高頻寬記憶體zHBM以及zNAND-O架構，力圖在接近1萬億美元規模的儲存晶片市場中鞏固領先地位，並加速追趕在AI記憶體領域先發制人的SK海力士與Micron Technology(MU.US)。

作為全球最大記憶體晶片製造商，Samsung在大會上首次展示其V10 Bonding V-NAND(BV-NAND)原型產品。該晶片採用全新晶圓鍵合架構，堆疊層數超過400層，相較前代V9 NAND，儲存密度提升約58%，同時讀寫速度與輸入輸出效能均有所改善。隨著AI工作負載從訓練大型語言模型擴展到即時生成用戶查詢答案，對高容量、高能效NAND快閃記憶體的需求快速增長，Samsung希望憑藉該技術更好滿足數據密集型AI系統的儲存需求。

在更前沿的領域，Samsung展示了其稱之為業界首款zHBM與zNAND-O架構的概念模型，描繪出3D堆疊記憶體的未來路線圖。

與目前置於AI處理器旁的傳統HBM不同，zHBM將高頻寬記憶體垂直堆疊在AI加速器上方，大幅縮短數據運輸距離。Samsung表示，與下一代HBM5相比，這套系統可實現約8倍的效能提升，記憶體密度提高10倍以上，能效提升三倍，熱阻降低超過一半，並支援客製化設計。不過，該公司尚未給出HBM5及zHBM的具體量產時間表，計劃於今年下半年優先擴大HBM4的生產規模。同時亮相的zNAND-O則基於V-NAND技術，專為即時、數據密集型的AI應用場景優化。

Samsung的技術攻勢正值儲存晶片巨頭之間圍繞AI數據中心訂單展開激烈爭奪之際。SK海力士憑藉早期布局在AI記憶體市場中佔據先發優勢，Micron同樣積極搶單。Samsung此次突顯「端到端AI基礎設施供應商」的定位，不僅在記憶體硬體上推進，更同步披露了下一代存內計算晶片及高容量企業級儲存的產品路線圖。

從需求端看，儘管部分投資者憂慮中國智慧手機市場疲弱可能抑制長期記憶體需求，但分析師普遍看好AI需求的強勁動能。Samsung上週披露，與客戶簽訂的長期協議最終有望覆蓋公司記憶體銷售額的60%至70%。

Citi分析師亦於上月的報告中指出，儘管終端市場存在走弱憂慮，目前DRAM與NAND全供應鏈的庫存仍顯著低於歷史水準，這將為業界提供緩衝，並強化AI驅動的增長預期。