Samsung Electronics amplía su acuerdo de suministro de NAND con NVIDIA y acelera el despliegue de memoria flash V9 y V10
El 21 de julio, Samsung Electronics está ampliando su cooperación con NVIDIA en el ámbito de la memoria flash NAND, profundizando aún más la relación de suministro de chips de almacenamiento sobre la base de colaboraciones existentes en DRAM, High Bandwidth Memory (HBM) y fundición de obleas. Según fuentes, Samsung ha comenzado la producción en masa de la V-NAND de 10ª generación (V10) y la está suministrando a NVIDIA, mientras también expande la capacidad de producción de la V-NAND de 9ª generación (V9) y avanza en el desarrollo de la V-NAND de 11ª generación con 500 capas (V11). Se informa que Samsung actualmente tiene una capacidad de producción mensual de más de 100.000 obleas de V-NAND, de las cuales aproximadamente el 60% se destina a productos V9.
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