¡La capacidad de almacenamiento ya está negociada hasta 2030! Winbond Electronics adelanta su plan de expansión de producción.
Winbond Electronics ha adelantado el plan de expansión de la Fábrica Road Bamboo Module B en Kaohsiung, con inicio programado para 2027 y instalación en 2029. Las negociaciones de capacidad con clientes ya están agendadas hasta 2029 y 2030. Las instituciones consideran que la demanda de almacenamiento impulsada por IA continuará por un largo período. Además, Winbond Electronics ha invertido alrededor de 4 mil millones de yuanes en la línea de producción de capacitores de silicio, cuya producción en masa podría comenzar en 2027, considerada como el tercer motor de crecimiento después de lógica y almacenamiento.
La demanda de almacenamiento impulsada por la IA sigue expandiéndose, y Winbond Electronics ha tenido que anticipar su planificación: los clientes ya están reservando capacidad de producción para dentro de tres años.
Winbond Electronics, líder mundial IDM de almacenamiento niche, anunció el arranque anticipado del plan de expansión de la planta Luzhu en Kaohsiung, Taiwán, consolidando los proyectos de fase 2 y 3 para desarrollar el módulo B de forma simultánea. Según Taiwan Economic Daily, la planta iniciará la construcción de las salas limpias en 2027, y la instalación de equipos podría comenzar a principios de 2029.
Fuentes institucionales señalan que la Agentic AI impulsa el aumento constante de la capacidad de almacenamiento y la demanda de packaging avanzado, y que “la tendencia de crecimiento relacionada se prevé durará bastante tiempo”. Esto es el motivo directo por el cual Winbond Electronics decidió activar anticipadamente el plan Module B. Actualmente, algunos clientes ya negocian cuotas de producción para 2029 y 2030.
Resultados del trimestre: aumento en volumen y precio, márgenes récord
Winbond Electronics registró ingresos consolidados de 59.843 millones de dólares taiwaneses en el segundo trimestre, un incremento trimestral del 56,4% y anual del 184,7%.
El alza de precios fue el motor principal: los precios de DRAM subieron alrededor del 100% en el trimestre, y los de Flash un 43%. El margen bruto alcanzó el 66,2%, con un beneficio por acción (EPS) de 5,40 dólares taiwaneses.
En el tercer trimestre, la tendencia alcista continúa. Taiwan Economic Daily cita a fuentes institucionales que prevén una escasez tanto en DRAM niche como en SLC NAND, con incrementos de precios trimestrales del 50%. Los precios de NOR Flash, impulsados por compras activas de clientes CSP importantes, subirán alrededor del 30%.
Se espera que el aumento de precios en el cuarto trimestre se reduzca a entre el 2% y el 5%, pero los expertos creen que, gracias al aumento de capacidad de DRAM y crecimiento en envíos, Winbond Electronics puede mantener una tendencia de ingresos y ganancias al alza.
Module B: toda la línea de productos orientada a la IA
La planificación de productos del Module B de la planta de Kaohsiung de Winbond Electronics abarca Standard DRAM, CUBE DRAM, Wafer-on-Wafer (WoW) y capacitores de silicio (Si-Cap), además de soporte para procesos de DRAM de 14 nm y, en el futuro, de 12 nm. También está previsto incorporar equipos de EUV.
La lógica detrás de esta estrategia es clara: la IA impulsa el almacenamiento hacia más alta densidad y empaquetado avanzado, por lo que Winbond Electronics necesita asegurar anticipadamente procesos y capacidad productiva para no quedar atrás cuando la demanda se materialice.
La introducción de equipos se hará por etapas, según previsión de demanda de clientes (Forecast) y acuerdos a largo plazo (LTA), controlando el ritmo de inversión en capital en vez de una producción plena de una sola vez.
Si-Cap: la tercera curva de crecimiento
Los capacitores de silicio (Si-Cap) son un foco especial en esta estrategia.
Fuentes institucionales los consideran el “tercer motor potencial de crecimiento” de Winbond Electronics, además de logic y memory. La empresa ya ha invertido alrededor de 4.000 millones de dólares taiwaneses para establecer una línea de producción exclusiva de Si-Cap.
La densidad de los productos Si-Cap en producción en masa actualmente es de cerca de 3.300 nF/mm², mientras que las muestras más recientes alcanzan unos 5.400 nF/mm², orientados principalmente hacia packaging avanzado de IA y gestión de energía de IA. Se prevé que la producción en masa comience tan pronto como el final del primer trimestre de 2027.
La lógica de Si-Cap radica en que los chips de IA requieren una estabilidad de energía muy alta, y los capacitores de silicio pueden ofrecer una mayor densidad de desacoplamiento de energía en el nivel de packaging, convirtiéndose en componentes indispensables para empaquetados avanzados. Winbond Electronics se anticipa, buscando posicionarse en esta demanda emergente.
Descargo de responsabilidad: El contenido de este artículo refleja únicamente la opinión del autor y no representa en modo alguno a la plataforma. Este artículo no se pretende servir de referencia para tomar decisiones de inversión.
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