SemiAnalysis: La fabricación de memoria flash está "pasando de tungsteno a molibdeno"
SemiAnalysis analiza que, después de que las capas de apilamiento de la memoria 3D NAND superaron las 300 capas, los hilos de tungsteno han alcanzado su límite físico en términos de resistencia, compatibilidad química y relleno de huecos profundos, por lo que el molibdeno se ha convertido en el material de reemplazo obligatorio. Samsung comenzó la producción en masa en 2024, Micron lo seguirá en 2025 y SK Hynix planea lanzar productos con proceso de 375 capas de molibdeno a finales de 2026. Se estima que el mercado de equipos de deposición de molibdeno superará los 1.1 billions de dólares en ventas para 2027.
El 23 de agosto, la institución de investigación de la industria de semiconductores SemiAnalysis publicó una serie de tuits en la plataforma X, explicando la lógica técnica detrás de la transición en la fabricación de 3D NAND flash desde el uso de tungsteno (Tungsten, W) hacia el molibdeno (Molybdenum, Mo).
Hace aproximadamente diez años, el 3D NAND dejó de reducirse lateralmente y pasó a aumentar la densidad de almacenamiento mediante el apilamiento vertical de capas. Sin embargo, al superar las aproximadamente 300 capas, las líneas de palabra de tungsteno que conectan cada celda de almacenamiento se encontraron con un límite físico: resistencia eléctrica demasiado alta, procesos químicos basados en flúor que provocan fugas eléctricas, y la imposibilidad de lograr un relleno efectivo en agujeros extremadamente profundos.
SemiAnalysis declaró en sus tuits: “El molibdeno no es una optimización, es un requisito indispensable para NAND por encima de 300 capas.”
En comparación con el tungsteno, el molibdeno tiene tres ventajas clave: menor resistencia (lo que permite velocidades de lectura y escritura más rápidas), no requiere procesos químicos basados en flúor, y mejores capacidades de relleno en estructuras de alta relación profundidad-ancho. Estas tres características contrarrestan directamente los tres principales defectos del tungsteno en apilamientos profundos, haciendo que la sustitución del material sea una necesidad técnica y no una simple mejora de ingeniería.

Situación actual del sector: producción masiva aún en el rango de 2xx capas, pero se acerca el punto de inflexión
SemiAnalysis repasó la posición de las capas de los principales fabricantes: Kioxia/SanDisk está en 218 capas, Micron en 276 capas, Samsung en 286 capas, y SK Hynix lidera la industria con 321 capas.
La transición hacia el rango de 3xx a 4xx capas está en marcha. SemiAnalysis estima que la proporción del molibdeno en la producción total de NAND crecerá desde un porcentaje medio de cifras en 2025 hasta aproximadamente el 30% en 2027.
Tres grandes fabricantes apuestan por completo
Los principales productores de NAND han confirmado claramente su compromiso con el proceso de molibdeno, y el calendario es concreto:
Samsung es el pionero, con productos de líneas de palabra de molibdeno que han entrado en producción masiva desde 2024.
Micron iniciará la producción masiva en 2025 utilizando el equipo ALTUS Halo de Lam Research.
SK Hynix planea lanzar NAND con proceso de molibdeno de 375 capas hacia finales de 2026.

Fabricantes de equipos: un nuevo mercado de más de 1.000 millones de dólares
Cada vez que se cambia de tungsteno a molibdeno, se requieren nuevos equipos de deposición. SemiAnalysis estima que solo en 2027, las ventas de equipos de deposición de molibdeno para NAND superarán los 1.000 millones de dólares, y que con la incorporación de DRAM y chips lógicos, esta cifra aumentará hasta aproximadamente 2.000 millones de dólares anuales en 2030.
En cuanto a los beneficiarios, Lam Research será el primero en ganar, seguido de cerca por TEL (Tokyo Electron); AMAT (Applied Materials), ASMI y el fabricante chino Naura obtendrán más beneficios conforme avance la transición a DRAM y chips lógicos. SemiAnalysis dijo que el cálculo detallado por segmento ya está incluido en su modelo de equipamiento frontal (WFE).
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