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Xu Guojin, vicepresidente de desarrollo de tecnología de encapsulación avanzada de TSMC, afirmó hoy que la arquitectura subyacente de los transceptores ópticos está experimentando una transformación estructural, con la fotónica de silicio convirtiéndose en el modelo dominante. Se espera que su cuota de mercado supere el 50% en 2027, y la manifestación final de la fotónica de silicio será la óptica co-encapsulada (CPO). En la segunda mitad de este año, algunos fabricantes comenzarán la producció

Xu Guojin, vicepresidente de desarrollo de tecnología de encapsulación avanzada de TSMC, afirmó hoy que la arquitectura subyacente de los transceptores ópticos está experimentando una transformación estructural, con la fotónica de silicio convirtiéndose en el modelo dominante. Se espera que su cuota de mercado supere el 50% en 2027, y la manifestación final de la fotónica de silicio será la óptica co-encapsulada (CPO). En la segunda mitad de este año, algunos fabricantes comenzarán la producció

智通财经智通财经2026/08/31 03:56
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El vicepresidente de desarrollo de tecnología de empaque avanzado de TSMC, Xu Guojin, declaró hoy que la arquitectura subyacente de los transceptores ópticos está experimentando una transformación estructural, y que la fotónica de silicio ya se ha convertido en la modalidad principal. Se espera que para 2027 su cuota de mercado supere el 50%. La máxima expresión de la fotónica de silicio será la óptica coempaquetada (CPO), y en la segunda mitad de este año algunos fabricantes comenzarán la producción en masa.
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