Según informes, Samsung Electronics está colaborando con Nvidia para desarrollar una memoria de alto ancho de banda de octava capa de séptima generación (HBM4E), lo que representa una reducción significativa en la altura del apilamiento en comparación con las soluciones previamente planeadas de 12 y 16 capas. Nvidia ha establecido especificaciones de velocidad de 17-18Gbps, aproximadamente un 20% más rápidas que las muestras iniciales de 14.4Gbps de HBM4E de Samsung. Se informa que este product
智通财经2026/08/31 05:31Descargo de responsabilidad: El contenido de este artículo refleja únicamente la opinión del autor y no representa en modo alguno a la plataforma. Este artículo no se pretende servir de referencia para tomar decisiones de inversión.
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