Se informa que Kioxia planea reemplazar parcialmente la DRAM con una versión mejorada de NAND.
Golden Ten Data, 4 de septiembre – Según fuentes del mercado, Kioxia celebró recientemente una conferencia técnica sobre semiconductores de memoria y otras tecnologías. Kioxia planea mejorar la velocidad de procesamiento de la memoria flash NAND mediante el uso de módulos CXL especialmente diseñados para cargas de trabajo de inteligencia artificial, para así reemplazar parcialmente la DRAM. Se informa que los módulos CXL pueden reducir el tiempo necesario para la lectura de datos a menos de una décima parte de los productos tradicionales, y gracias a la alta velocidad de lectura de datos, su rendimiento puede acercarse aún más al de la DRAM. Kioxia señaló que, al reemplazar parte de la DRAM por módulos CXL, la capacidad puede duplicarse y el rendimiento aumentar en un 30%.
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