Respuesta positiva ante el avance de Changxin 4F2, el CTO de Micron afirma que la DRAM 3D es “más escalable y rentable a largo plazo”.
El mercado global de chips de almacenamiento ha experimentado recientemente fluctuaciones en su valoración y se intensifican los debates sobre la dirección tecnológica. Scott DeBoer, presidente de Micron, afirmó que, aunque la empresa evaluó durante mucho tiempo la arquitectura 4F² internamente, seguirán apostando por la ruta 6F² y avanzarán directamente hacia la 3D DRAM, argumentando que los transistores de canal vertical de 4F² carecen de un camino sostenible para su expansión. En contraste, ChangXin Memory Technologies anunció anteriormente que planea lanzar productos DDR5 con arquitectura 4F² a finales de este año, y Samsung también considera introducir esta arquitectura en 2028.
Recientemente, el mercado global de chips de almacenamiento ha experimentado una nueva ronda de fluctuaciones en las valoraciones y debates sobre rutas tecnológicas. En los mercados de capitales, tanto el índice de semiconductores de Filadelfia como el sector de almacenamiento han sufrido retrocesos considerables; mientras que en la industria, los avances disruptivos de Changxin Memory en la arquitectura 4F² DRAM han sido motivo de discusión generalizada en el sector.
El 21 de octubre, Scott DeBoer, presidente y director de tecnología y producto de Micron, dirigió un seminario web técnico y de productos, uno de cuyos temas centrales fue responder a las preocupaciones de los inversores generadas tras el anuncio de los planes de arquitectura 4F² por parte de Changxin.
Scott DeBoer afirmó directamente que aunque internamente se evaluó por largo tiempo y se hicieron prototipos sobre la 4F², Micron seguirá apostando por su ruta actual de 6F² y finalmente dará el salto directo a la DRAM 3D. Según Micron, a largo plazo, la DRAM 3D es una opción más segura en cuanto a escalabilidad y eficiencia de costos.
Explicó además que el factor clave para determinar la densidad de bits y la expansión de costos en la DRAM es el espaciamiento entre capacitores. La arquitectura 4F² con transistores de canal vertical (VCAT) no tiene un camino de escalabilidad viable más allá de la reducción del espaciamiento.
Según la mesa operativa de Chasewind, posteriormente un informe del equipo del analista Timothy Arcuri de UBS señaló que si Micron está en lo correcto y la industria finalmente se inclina por la DRAM 3D, los proveedores de equipos de deposición y grabado podrían beneficiarse de ello.
Tal como adelantó El Diario de las Finanzas de Wall Street, el presidente de Changxin Memory, Cao Kanyu, reveló el 10 de octubre que la compañía planea lanzar a fin de año una nueva generación de DDR5 RDIMM basada en la arquitectura 4F², que permitiría reducir el área del chip en un 30% aproximadamente en comparación con la arquitectura predominante de 6F², obteniéndose así más chips por oblea.
El punto central de Micron: 4F² no es el camino al futuro
La tecnología 4F² de Changxin ha llamado tanto la atención porque apunta directamente a uno de los mayores desafíos comerciales de los chips DRAM: la densidad de bits por oblea y el costo.
En el diseño tradicional de DRAM, la mayoría del sector emplea la arquitectura 6F². Si se logra una transición exitosa a 4F², en teoría se podría reducir el área de la celda en más de un 30% en el mismo nodo de proceso, aumentando considerablemente el número de dies efectivos (chips) por oblea.
Tras seguir la comunicación técnica de Micron, UBS apuntó que la empresa ha transmitido al mercado su evaluación de los cuellos de botella en la producción masiva de 4F²:
Primero, el cuello de botella está en el capacitor y no en el transistor. Micron considera que el desafío último de la miniaturización en DRAM está en el espaciamiento de los capacitores, no solo en la estructura básica del transistor. Si no se logra reducir este espaciamiento junto con la transición a una estructura 4F², el cambio por sí solo no implica necesariamente una ventaja sostenible de costos.
Segundo, el techo de expansión de VCAT. Normalmente la 4F² requiere la introducción de transistores de canal vertical (VCAT). Según Micron, más allá de seguir comprimiendo el espaciamiento, VCAT carece de un camino evolutivo sostenible y exige procesos extremadamente complejos como ALD (Deposición de Capa Atómica) y epitaxia selectiva, cuyo costo de producción podría contrarrestar los beneficios por reducción de superficie.
Según el informe posterior de la analista Melissa Weathers del Deutsche Bank, Micron no solo dejó claro que no planea migrar a la arquitectura 4F², sino que además enfatizó que, tras décadas de evaluación y desarrollo de prototipos internos, la conclusión final es que: antes de que la industria adopte la DRAM 3D, la 6F² sigue siendo la opción más atractiva.
Las grandes empresas exhiben consideraciones técnicas opuestas
El análisis de UBS sostiene que la declaración de Micron refleja una estrategia de avance paralelo por dos rutas tecnológicas, similar a su doble apuesta respecto al uso de EUV en el nodo 1-beta. La empresa considera que la DRAM 3D convergerá finalmente con su hoja de ruta, viéndola como una solución a largo plazo con más escalabilidad y rentabilidad.
Pero la lógica de Micron no representa un consenso en toda la industria.
Un estudio contemporáneo de UBS señala que, además del esfuerzo de Changxin en esta dirección, se rumorea que Samsung también planea introducir la arquitectura 4F² en su futuro nodo de 0a nm para mitigar los desafíos técnicos vinculados a las altas proporciones ancho/profundidad de los capacitores.
Samsung proyecta completar la producción masiva de 6F² en el nodo 1d nm para 2027 e iniciar la implementación de 4F² en el nodo 0a nm antes de fines de 2028.
El discurso tecnológico de Micron
Además de responder directamente a las dudas sobre 4F², en este seminario Micron enfatizó también su cobertura tecnológica integral.
Extensión del mapa de memoria para IA: Micron subrayó que la demanda de memoria por parte de IA no se limita solo al entrenamiento con HBM, sino que incluye también LPDDR6, DDR6, SOCAMM y RDIMM de 1TB para inferencia, IA periférica y conducción autónoma.
Empaquetado avanzado e integración lógica: Micron considera el Hybrid Bonding como un diferenciador clave en HBM de 16 alturas y superiores, y promueve alianzas con fundiciones para desarrollar vHBM (memoria apilada verticalmente sobre núcleos de cómputo). Micron busca demostrar que la competencia en almacenamiento en la era de la IA ha pasado del "control del costo por bit" a la "colaboración integral entre memoria, empaquetado y arquitecturas lógicas a nivel de sistema".
Revalorización de NAND: Micron también presentó una hoja de ruta de Gen11 NAND con más de 400 capas, destacando su apuesta por construir barreras integrales DRAM+NAND ante la creciente demanda de almacenamiento de alto rendimiento para la era IA en IOPS y ancho de banda.
El verdadero impacto de la 4F² de Changxin: ¿El mercado está sobredimensionando la reacción?
Ante la preocupación de mercado surgida a raíz del anuncio sobre 4F² de Changxin, varias instituciones ya realizaron evaluaciones prudentes.
Según Nomura Securities, tanto 4F² como la DRAM 3D "no tendrán un impacto sustancial antes de 2028", estimando que la producción masiva de 4F² por parte de Changxin no se realizará hasta 2027-2028. CITIC Securities también advirtió que la 4F² se encuentra todavía en una etapa inicial de verificación, con rendimientos, producción y certificación del cliente aún por comprobar, por lo que su impacto en la estructura industrial de almacenamiento a mediano plazo es limitado.
Con respecto al posicionamiento industrial de Changxin, su negocio de HBM aún está en etapa inicial, por lo que difícilmente podrá capturar las altas primas de este segmento impulsado por la potencia IA a corto plazo. Dado que el margen de aumento de precios de la DRAM general se ha estrechado significativamente, esta característica estructural deja a la empresa con poco margen de cobertura.
Los datos de seguimiento de TrendForce muestran que el precio de contrato de la DRAM general ha pasado de un aumento del 93% al 98% intertrimestral en el primer trimestre de 2026 a un alza de entre el 13% y el 18% en el tercer trimestre, y se espera que caiga aún más al 10%-15% en el cuarto trimestre.
Descargo de responsabilidad: El contenido de este artículo refleja únicamente la opinión del autor y no representa en modo alguno a la plataforma. Este artículo no se pretende servir de referencia para tomar decisiones de inversión.
También te puede gustar
Goldman Sachs confía en que United Airlines (UAL.US) aumente un 50% más: se espera que la tendencia de crecimiento continúe, el costo del combustible ejerce presión pero la rentabilidad sigue siendo líder en la industria.
Goldman Sachs asignó una calificación de "Comprar" a United Continental Airlines, ajustando el precio objetivo a 152 dólares, lo que representa un potencial de aumento del 50% respecto al precio actual de la acción.
Acaba de respaldar a CoreWeave y ahora va a invertir en Firmus: Nvidia se convierte en el "banco central de la IA".
Después de respaldar públicamente a CoreWeave y provocar una caída del 11,9% en el precio de sus acciones, Nvidia planea invertir cientos de millones de dólares en Firmus Grid, una empresa australiana de servicios en la nube de IA que fracasó en su intento de salir a bolsa. Nvidia está interviniendo en la crisis de financiamiento de infraestructuras de IA de una manera cada vez más similar a un banco central, con una lógica directa: por cada dólar que invierte Jensen Huang, sus clientes pueden comprar otro chip de la compañía. Actualmente, neocloud es una barrera clave de Nvidia contra los gigantes tecnológicos que desarrollan sus propios chips.
¿Exceso de oferta de poder de cómputo?
Precios de las criptos
Más
