Le rendement du HBM4E de Samsung a dépassé 70 %, et le procédé DRAM de nouvelle génération D1d vise une approbation de préparation à la production en novembre.
Selon BlockBeats, le 1er juillet, Samsung Electronics progresse dans le développement du HBM4E (septième génération) et de la prochaine génération de DRAM, après avoir lancé la production de masse du tout premier HBM4 (sixième génération) au monde. Song Jae-hyuk, CTO de la division DS de Samsung Electronics et directeur de l'Institut de recherche en semi-conducteurs, a déclaré lors d'une réunion interne le 30 juin que le taux de rendement des tests de fiabilité du HBM4E a dépassé les 70 %. Dans le secteur, il est généralement admis que le franchissement du seuil de 80 % marque l'entrée dans la phase de « rendement stabilisé » ; sachant que le HBM4E est encore en phase de test de fiabilité, un taux supérieur à 70 % est considéré comme un indicateur d'entrée dans une phase de stabilisation du développement.
En février de cette année, Samsung Electronics a été le premier à lancer la production de masse et la livraison du HBM4, et le 29 mai, les spécifications techniques détaillées du produit HBM4E 12 couches ont été rendues publiques, et des échantillons ont été envoyés aux principaux clients. Le HBM4 sera utilisé pour l'accélérateur AI Vera Rubin de NVIDIA, qui sortira au second semestre de l'année, tandis que le HBM4E devrait équiper la prochaine génération d'accélérateurs AI Vera Rubin Ultra de NVIDIA prévue pour l'an prochain.
Le développement du procédé DRAM de nouvelle génération de Samsung progresse également de manière satisfaisante. Song Jae-hyuk estime que la technologie du procédé D1d présente des avantages compétitifs par rapport aux concurrents et que le développement est mené en vue d'obtenir l'autorisation de production dès novembre. Le D1d est le procédé DRAM clé que Samsung prévoit d'appliquer à partir du prochain HBM5 (huitième génération) ; si tout se déroule comme prévu, cela aura un effet positif sur la compétitivité de la prochaine génération de DRAM ainsi que sur les produits HBM5 à venir. (Fnnews)
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