Persaingan NAND antara Korea dan Jepang semakin memanas: Samsung dan Kioxia memproduksi massal chip penyimpanan AI dengan spesifikasi terbaru pada periode yang sama

Lanskap pasar NAND global sedang memasuki babak baru perlombaan teknologi. Kioxia Jepang tahun ini intensif mendorong produksi massal SSD enterprise PCIe 6.0 dan solusi penyimpanan mobile UFS 5.0, secara langsung menantang posisi teratas Samsung Electronics di bidang penyimpanan AI, mempercepat persaingan antara raksasa penyimpanan Korea dan Jepang untuk produk generasi baru.

Menurut laporan media teknologi Korea, ZDNet, Kioxia pada awal Juli tahun ini telah memulai produksi massal generasi kesepuluh (BiCS 10) 3D NAND di pabrik Kitakami, Prefektur Iwate, Jepang, dan berdasarkan itu berhasil melakukan komersialisasi SSD enterprise PCIe 6.0 CM10. Samsung Electronics pada periode yang sama juga mengumumkan bahwa produk PCIe 6.0 eSSD PM1763 telah memasuki produksi massal, serta mengungkapkan bahwa generasi kesepuluh V-NAND (V10) akan mulai diproduksi massal bulan ini, sehingga secara langsung berhadapan dengan Kioxia pada titik-titik kunci. Kedua produsen yang secara bersamaan mendorong komersialisasi produk dengan spesifikasi terbaru ini akan mempercepat proses peningkatan performa penyimpanan untuk pusat data AI dan pasar AI di sisi end, serta berdampak besar terhadap lanskap pasokan saat ini.

Dari sisi pangsa pasar, menurut data lembaga riset pasar TrendForce, pada kuartal pertama 2026 Samsung Electronics tetap memuncaki pasar NAND global dengan pangsa 31,6%, SK Hynix menempati posisi kedua dengan 17,6%, dan Kioxia di urutan ketiga dengan 13,9%. Meskipun skala Kioxia lebih kecil dibanding perusahaan Korea, namun laju dorongan teknologinya di bidang penyimpanan berperforma tinggi untuk AI semakin cepat sehingga tekanan kompetitif di pasar tidak boleh diremehkan.

Gelombang ofensif teknologi Kioxia kali ini berpusat pada dukungan generasi kesepuluh NAND. BiCS 10 menggunakan proses stacking 332 lapis dan telah resmi diproduksi massal di Pabrik North K2 pada awal Juli. Samsung Electronics dan SK Hynix saat ini sama-sama telah menyelesaikan produksi massal NAND generasi kesembilan. Meski definisi jumlah lapisan stack antar produsen berbeda untuk tiap generasi sehingga sulit dibandingkan langsung, namun Kioxia berhasil menjadi yang pertama mewujudkan produksi massal NAND dengan stacking lebih dari 300 lapis, yang sendiri memiliki arti penting sebagai tonggak teknologi.

Berdasarkan capaian tersebut, Kioxia meluncurkan PCIe 6.0 eSSD CM10 untuk pasar pusat data. PCIe 6.0 adalah standar antarmuka terbaru yang baru mulai dikomersialkan tahun ini, dan menurut data resmi Kioxia, kinerja sequential read CM10 meningkat hingga 92% dan kinerja random read naik sekitar 85% dibanding produk generasi sebelumnya.

Untuk arah AI di sisi end, Kioxia berencana memulai produksi massal solusi penyimpanan UFS 5.0 pada akhir tahun ini. UFS 5.0 adalah spesifikasi embedded storage terbaru yang mulai dikomersialkan tahun ini dan terutama diaplikasikan pada skenario NAND perangkat mobile, dengan kecepatan pengolahan data sekitar dua kali lebih cepat dibanding UFS 4.1. Solusi UFS 5.0 Kioxia ini dilengkapi dengan controller hasil riset sendiri dan NAND generasi kedelapan.

Tahun ini Samsung Electronics juga sangat aktif di bidang NAND. PM1763 mulai diproduksi massal pada awal Juli, menggunakan V-NAND generasi ke-9 dan controller generasi terbaru dengan proses 4 nanometer, menjadi produk komersial pertama Samsung di jalur PCIe 6.0.

Untuk arah penyimpanan mobile, Samsung telah menyelesaikan pengembangan produk UFS 5.0 pada Juni tahun ini dan berencana memulai produksi massal pada kuartal keempat. Produk ini didasarkan pada NAND generasi ke-9, dengan bandwidth transmisi data sebesar 10,8GB/s, diklaim Samsung sebagai yang tertinggi di industri, serta tetap efisien dalam konsumsi daya.

Yang lebih diperhatikan pasar adalah dimulainya produksi massal V10 NAND Samsung. Jumlah lapisan stack V10 diperkirakan mencapai lebih dari 430 lapis, dan untuk pertama kalinya mengadopsi proses hybrid bonding serta arsitektur 3-Stack, menjadi penanda langkah baru Samsung dalam teknologi NAND. Menurut sumber industri semikonduktor, Samsung baru-baru ini sudah menyelesaikan persetujuan produksi massal internal produk V10 (PRA), dan secara resmi mengumumkan rencana produksi massal ke publik. Namun sumber tersebut juga menyebutkan bahwa investasi peralatan produksi massal berskala besar saat ini belum sepenuhnya dimulai, sehingga pada tahap awal volume produksi masih relatif kecil.

Persaingan perusahaan Korea-Jepang kali ini sangat berfokus pada skenario aplikasi AI. PCIe 6.0 menargetkan kebutuhan penyimpanan throughput tinggi pada pusat data AI, sementara UFS 5.0 memenuhi kebutuhan peningkatan pesat performa penyimpanan lokal pada perangkat AI sisi end — kedua lini produk ini sangat selaras dengan arah ekspansi industri AI saat ini.

Kioxia yang responsif menunjukkan bahwa siklus iterasi teknologi pasar NAND global semakin pendek, dan kesenjangan waktu komersialisasi produk berspesifikasi baru antara produsen terkemuka telah menyusut drastis. Bagi investor infrastruktur AI, hambatan kinerja di sisi penyimpanan diperkirakan akan bisa diatasi secara nyata pada tahun ini hingga tahun depan seiring dengan produksi massal produk spesifikasi baru dalam skala besar.