Elon Musk parla della produzione di chip: la capacità di produzione su larga scala della Cina spesso supera la somma del resto del mondo
Dopo che ChangXin Memory Technologies ha annunciato una svolta chiave nella memoria server DDR5, l'indice Philadelphia Semiconductor della borsa USA è sceso del 2,7% durante la notte, con Micron, SK Hynix ADR e altri titoli in calo collettivo. Musk ha commentato questa tendenza affermando che, quando la Cina scopre il metodo per produrre un certo prodotto, la sua capacità di scala di solito supera la somma di tutte le altre regioni mondiali, aggiungendo che "sembra che la Cina stia rapidamente conquistando" standard generici come LP5 e LP6.
Le ultime dichiarazioni di Musk sulla capacità di produzione su larga scala della Cina hanno ulteriormente alimentato le ansie competitive già presenti nell’industria dei semiconduttori.
Durante la notte, le notizie sull’ultima svolta tecnologica del produttore cinese di chip di memoria Changxin Storage hanno scosso il settore dei chip a Wall Street — l’indice Philadelphia Semiconductor lunedì è sceso del 2,7%, toccando il minimo delle ultime tre settimane. Micron, SanDisk, SK Hynix ADR e altri titoli correlati alle memorie sono stati tra i principali ribassisti, con il mercato che ha mostrato un crescente timore riguardo all’accelerazione dei produttori cinesi nell’entrare nel mercato delle memorie per server AI ad alto margine di profitto.
A commento di questo andamento, l’analista AI Melvin ha affermato di non riuscire affatto a comprendere l’ondata di vendite sui titoli delle memorie, ritenendo che la reazione del mercato sia eccessiva e ingiustificata.
Successivamente, Musk ha risposto su X, affermando che, una volta che la Cina apprende come produrre un determinato prodotto, la sua capacità di scalare spesso supera quella del resto del mondo messo insieme, citando le batterie al litio e il solare come esempi. Ha inoltre espresso una chiara preoccupazione riguardo alla rapidità con cui la Cina sta recuperando nel campo delle memorie, affermando che gli standard universali come LP5 e LP6 "sembrano essere rapidamente conquistati dalla Cina".
Musk: La capacità di scala cinese è un vantaggio sistemico
Nel suo post, Musk ha definito la capacità produttiva su larga scala della Cina come un vantaggio sistemico, e non come un caso isolato. Ha scritto: "Quando la Cina scopre come fabbricare un prodotto, la sua capacità di scalare spesso supera la somma del resto del mondo. L’abbiamo già visto con le batterie al litio e il solare."
Ha preso come riferimento SpaceX, sottolineando che SpaceX è una delle poche eccezioni — la sua massa inserita in orbita è circa un ordine di grandezza superiore alla somma di tutti gli altri vettori spaziali del mondo. Tuttavia, ha aggiunto che, anche così, attualmente la Cina detiene la maggior parte della massa orbitale non attribuita a SpaceX, "SpaceX è un outlier nella matrice".
Nel settore delle memorie, Musk si è espresso in modo ancora più diretto. Ha affermato che la RAM, fino a tre anni fa, era solo una commodity a basso margine, mentre LP5 e LP6 usano uno standard di design universale, e "sembra che la Cina stia risolvendo rapidamente la situazione". Ha inoltre sottolineato che le architetture HBM di nuova generazione, lo strato SRAM sotto il layer logico, così come lo stacking 3D della RAM sopra lo strato logico affrontando al contempo la dissipazione del calore, saranno sfide tecniche molto più difficili da superare.
La svolta tecnologica di Changxin Storage scatena le vendite sul mercato
Le dichiarazioni di Musk non sono arrivate dal nulla. Proprio nel weekend precedente, il presidente di Changxin Storage, il dottor Cao Kanyu, ha annunciato durante un evento del settore che l’azienda ha compiuto un importante progresso nell’architettura delle celle di memoria di nuova generazione 4F², con l’intenzione di lanciare prodotti di memoria server DDR5 basati su questa architettura entro la fine del 2026.
Il vantaggio chiave dell’architettura 4F² risiede nella minore superficie delle celle di memoria. Nella comune architettura DRAM 6F², F rappresenta la minima larghezza del processo litografico, mentre il design 4F² consente teoricamente di integrare circa un terzo di bit in più per unità di area, riducendo così il costo unitario, risultando particolarmente adatto alle memorie ad alta capacità necessarie nei server AI. Cao Kanyu ha affermato che il progetto utilizza transistor gate intorno verticali proprietari per sopprimere le perdite di corrente, puntando direttamente al redditizio mercato DRAM per server AI.
Questa notizia ha innescato un improvviso aumento delle preoccupazioni sul potenziale ingresso accelerato dei produttori cinesi nel segmento dei chip di memoria ad alte prestazioni, diventando la miccia che ha condotto al crollo generale dei titoli dei semiconduttori lunedì. Il settore tecnologico si è rivelato il peggiore del mercato azionario statunitense di lunedì, con i titoli delle memorie in prima linea nelle vendite. Micron ha sfondato quota 1000 dollari, chiudendo con un calo di circa il 4%; SanDisk ha perso quasi il 6%; SK Hynix ADR e Super Micro Computer sono scesi entrambi di oltre il 4%; Seagate Technology ha perso oltre il 3%; Quantum oltre il 9%; anche Corning ha subito una forte discesa.
La logica dietro le vendite è chiara: se i produttori cinesi riusciranno a entrare nel mercato delle memorie di fascia alta, storicamente dominato da aziende statunitensi e sudcoreane, con costi più bassi e maggiore scala, i margini di profitto delle aziende esistenti verranno sostanzialmente compressi. Le dichiarazioni pubbliche di Musk hanno in una certa misura rafforzato le aspettative degli investitori riguardo l’evoluzione di questo scenario competitivo.
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