Samsung keyingi avlod saqlash yo'l xaritasini e'lon qildi: HBM5 unumdorligi HBM4E ga nisbatan 2 baravar yuqori, zHBM tezlashtirish unumdorligi 8 baravar oshadi
HBM5 bazasi chip ishlab chiqarish jarayoni 2 nanometrrgacha ko‘tarildi, maqsad HBM4E ning samaradorligini ikki baravar oshirish, bir vat uchun samaradorlik 20% ga oshadi, shu bilan birga issiqlik qarshiligi ham 20% ga kamayadi, 2028-yilda ommaviy ishlab chiqarish kutilmoqda. Yangi arxitekturaga ega zHBM ning maqsad samaradorligi HBM4E dan 8 baravar yuqori, bir vatda samaradorlik uch baravar ko‘tariladi, issiqlik qarshiligi 75% dan 90% gacha kamayadi, bu esa 2029-yildan keyin taqdim etilishi rejalashtirilgan.
Samsung Electronics SEMICON Taiwan 2026’da yangi avlod yuqori o‘tish diapazonli xotira (HBM) va keyingi avlod xotira arxitekturasi bo‘yicha batafsil texnologik yo‘l xaritasini ochiqladi. Bu xaritaga HBM5, zHBM va zNAND-O kabi bir qator ilg‘or texnologiyalar kiradi va ushbu Koreya xotira gigantining AI infratuzilmasi xotira bozorida uzoq muddatli rejalari borligini ko‘rsatadi.
Samsung xotira mahsulotlar rejalashtirish bo‘yicha korporativ vitse-prezidenti Jangseok Choi 1-sentabr sanasida bo‘lib o‘tgan tadbirda shunday dedi: HBM5 asosiy maqsadi HBM4E dan ikki baravar yuqori unumdorlikka erishish, har vattga to‘g‘ri keladigan unumdorlikni 20% ga oshirish va issiqlik qarshiligini 20% ga kamaytirishdir. Avvalroq, Samsung 2026-yil avgust oyida o‘tgan Hot Chips tadbirida ushbu borada ayrim yutuqlarini ochiqlagan edi.
Shuningdek, Samsung zHBM nomli yangi arxitekturali mahsulotni ishlab chiqilayotganini ham e’lon qildi, maqsadi — HBM4E dan 8 barobar yuqori unumdorlik, har bir vattga 3 baravar ko‘p samaradorlik, issiqlik qarshiligi esa 75% dan 90% gacha kamaytirishdir.
Ushbu texnologik yangilanishlar bevosita AI tezlatkichlarining hisoblash quvvati tez o‘sayotganiga javob bo‘lib, yuqori o‘tkazuvchanlik hamda sovitish bo‘yicha ikki tomonlama ehtiyojlarga xizmat qiladi. Bu AI chip yetkazib berish zanjiri va mos infratuzilmalarga investitsiya qilishda muhim yo‘riq bo‘lib xizmat qiladi.
HBM5: Texnologik jarayon 2 nanometrga ko‘tariladi, ommaviy ishlab chiqarish 2028-yilda boshlanishi kutilmoqda
Ma’lum qilinishicha, HBM5 unumdorlik bo‘yicha HBM4E dan ikki baravar yuqori natijaga intiladi va energiya samaradorligi hamda issiqlik boshqaruvi nuqtai nazaridan sezilarli yutuqlarga erishadi. Samsung HBM5 asos chipini (base die) HBM4 va HBM4E ning 4 nanometrlik texnologiyasidan o‘zining 2 nanometrlik tayanch tuguniga ko‘tardi — bu HBM texnologik jarayonida muhim qadamdir.
Yig‘ma yotqizilgan qatlamlar soni bo‘yicha Samsung HBM5 uchun uch xil DRAM yig‘ma variantini — 12 qatlam, 16 qatlam va 20 qatlam — tayyorlamoqda va bu turli ilovalar uchun zarur bo‘lgan sig‘im hamda samaradorlik ehtiyojini qondiradi. Ommaviy ishlab chiqarish HBM4E dan so‘ng, taxminan 2028-yilda boshlanishi kutilyapti.
Issiqlik qarshiligi 20% ga kamayishi ayniqsa muhimdir – AI tezlatkichlarining quvvati o‘sishda davom etar ekan, HBM’ning issiqlik chiqarish imkoniyati tizim uchun to‘siqqa aylanmoqda, bu yaxshilanish yuqori samarali hisoblash tizimlarining barqaror ishlashiga xizmat qiladi.
zHBM: Inqilobiy arxitektura, xotira to‘g‘ridan-to‘g‘ri protsessor ustiga joylashadi
Samsung zHBM ni an’anaviy HBM dan farq qiluvchi butunlay yangi arxitektura sifatida taqdim etmoqda. Oddiy HBM xotirani AI tezlatkichlari (xPU) yoniga joylashtirsa, zHBM esa xotirani bevosita protsessor ustiga yig‘adi, bu orqali ma’lumot uzatish yo‘lini keskin qisqartirib, undan-da yuqori o‘tkazuvchanlik va quvvat samaradorligiga erishiladi.
Samsungning maqsadi — zHBM HBM4E dan 8 baravar yuqori unumdorlik, har vattga 3 baravar koʻp samaradorlik va issiqlik qarshiligi 75%–90% ga qisqartirilishi. Agar shu samaraga erishilsa, o‘tkazuvchanlik zichligi va energiya samaradorligi bo‘yicha mavjud HBM arxitekturasi tubdan yangilanadi.
zHBM ni joriy etish 2029-yildan keyin boshlanishi kutilmoqda — bu Samsungning uzoq muddatli texnologik zaxirasidir.
zNAND-O: NAND zichligini saqlagan holda DRAMga yaqin tezlik
NAND xotira sohasida ham Samsung istiqbolli texnologik yo‘nalishlarni taklif qilmoqda. zNAND-O 2028-yilda namunalarini jo‘natishni boshlashi rejalashtirilgan bо‘lib, u sig‘im bo‘yicha DRAMdan 10 baravar yuqori, o‘qish o‘tkazuvchanligi va energiya samaradorligi bo‘yicha esa NANDdan 7 baravar yuqori ko‘rsatkichlarni nishonga olgan.
Ushbu texnologiyaning yaratilish maqsadi — generativ AI va yirik til modellari (LLM) uchun “DRAM tezligidagi, NAND sig‘imidagi” talablarni qondirishdir. Modellar soni doim o‘sib borar ekan, hozirgi xotira arxitekturasi tezlik va sig‘im orasida muvozanat yo‘qligi sababli, bu sohada AI inferensiya va o‘qitish samaradorligini to‘xtatuvchi to‘siqlardan biriga aylanmoqda.
CUBE strategiyasi: Sig‘im, foydalanish, o‘tkazuvchanlik va samaradorlik to‘rtta yo‘nalishda birgalikda rivojlanadi
SEMICON Taiwan 2026 doirasida o‘tkazilgan Memory Executive Summit tadbirida Samsung o‘zining “CUBE” strategik kontekstini ham batafsil tushuntirdi.
Jangseok Choi ta’kidlashicha, ushbu strategiyaga to‘rtta asosiy ustuvor yo‘nalish kiradi: Sig‘im (Capacity), Foydalanish (Utilization), O‘tkazuvchanlik (Bandwidth) va Samaradorlik (Efficiency).
Sig‘im nuqtai nazaridan, Samsung saqlash sig‘imini vertikal yo’nalishda kengaytirishni, bosma plata (PCB) maydonini oshirmasdan xotira zichligini ko‘paytirishni rejalashtirmoqda;
Foydalanish bo‘yicha, kompaniya 3D xotiraning ahamiyatini oddiy qavat yig‘ishdan yuqoriga qo‘yib, mantiqiy va xotira arxitektura tuzilmasini optimallashtirish va kechikishni kamaytirishga qaratiladi;
O‘tkazuvchanlik yuzasidan, Samsung vertikal yuqori tezlik yo‘lagidan foydalanib, gorizontal ma’lumot yo‘llarini qisqartirish va chiplar orasidagi masofani kamaytirish niyatida;
Samaradorlik jihatidan esa, energiya iste’moli va issiqlik boshqaruviga e’tibor qaratilib, har bit ma’lumot uzatishda energiya sarfini minimal darajaga tushirish, har vattga unumdorlikni maksimal oshirish maqsad qilinadi.
CUBE ramkasi ilgari surilishi Samsung’ning yangi avlod xotira mahsulotlarini ishlab chiqishda tizimli arxitektura asosida va bir necha ko‘rsatkich bo‘yicha hamohang rivojlanishni ko‘zlayotganini anglatadi — nafaqat yagona ko‘rsatkich bo‘yicha yutuqqa erishish.
Mas'uliyatni rad etish: Ushbu maqolaning mazmuni faqat muallifning fikrini aks ettiradi va platformani hech qanday sifatda ifodalamaydi. Ushbu maqola investitsiya qarorlarini qabul qilish uchun ma'lumotnoma sifatida xizmat qilish uchun mo'ljallanmagan.
Sizga ham yoqishi mumkin
Wosh yaltqin cho‘chqisi, obligatsiyalar bozori ishonmoqda: AQSh obligatsiyalari daromad ko‘rsatkichlari tekislanmoqda, foiz stavkalarini oshirish uchun garovlar kuchaymoqda
Obligatsiya bozori tobora kuchayib borayotgan ishonchni namoyon qilmoqda, bu esa Federal Reserve raisi Kevin Walsh inflyatsiyani jilovlash bo'yicha va'dasini bajarishiga ishonch bildiradi. Hozirda inflyatsiya darajasi besh yil davomida siyosatchilarning nishon darajasidan yuqori bo'lib kelmoqda.
"Qaldirğochlar foiz stavkalarini oshirish"！Walsh "katta o‘zgarish"
AQSh Federal Rezervi sentyabr oyida bir ovozdan foiz stavkasini 25 bazaviy punktga oshirdi, Walsh "hawkish" harakatlari bilan ilgari berilgan va'dalarini bajardi va aniq bayon qildi: hozirgi moliyaviy sharoitlar tor emas, bu safar foiz stavkasi oshirilishi esa "qisman yumshoq" holatni olib tashlashdan iborat, nutqi keskin edi. UBS shuni ta'kidladi: Walshning siyosiy qarori avvalgidan sezilarli darajada o'zgardi — inflyatsiya va ta'minot zarbasiga nisbatan sezuvchanligi ortdi, mehnat bozori xavotirlari esa ancha past, shuningdek, cheklovchi siyosat mezonini yuqoriroq darajada belgiladi. Xavflar aniq ravishda foiz stavkalarining uzoq vaqt yuqori darajada qolishiga tomon yo'naltirilgan.
Zhongxin Securities: AQSh Federal Reserve sentyabrda foiz stavkasini oshirishi kutilgan edi, neft narxi kelajakdagi muhim omil bo‘ladi, yil oxirigacha yana 25bps oshirilishi mumkin
AQSh Federal Rezervi (Fed)ning keyingi foiz stavkasini oshirish ritmi va miqdori katta darajada neft narxiga bog‘liq. CITIC Securities Fed yil davomida yana 25bpsga foiz stavkasini oshirishini, kelgusi yili esa harakatsiz qolishini prognoz qilmoqda.
AQSh Federal Rezervi "kutilganidek foiz stavkasini oshirdi", bozorda esa "bundan keyin yana necha marta oshirish bo‘ladi?" degan savol paydo bo‘ldi.
Tahlilchilarning fikriga ko‘ra, Walsh inflyatsiya tendensiyalarini yaqindan kuzatishini ta’kidladi, oktabrdagi yig'ilishgacha faqat bir oylik ma'lumotlar mavjud bo‘lib, bu “tendensiya”ni aniqlash uchun yetarli emas, dekabr oyida esa yana choralar ko‘rilishi kutilmoqda. So‘rovnomalar natijasida 16 nafar rasmiy bu yil yana bir marta foiz stavkasi oshirilishini taxmin qilmoqda, biroq 10 yillik AQSh davlat obligatsiyalari daromadi 5%dan oshgan va treyderlar rasmiy nuqtai nazardan ko‘ra yanada keskin qisqaruv yo‘nalishiga garov tikmoqdalar.
Kripto narxlari
Ko'proq
