Çangxin 4F2-nin irəliləyişinə müsbət cavab, Micron CTO: 3D DRAM "uzunmüddətli daha genişlənə bilən və sərfəli"
Qlobal yaddaş çipi bazarında son vaxtlar dəyərləndirmələrdə dalğalanmalar müşahidə olunur və texnologiya marşrutları üzrə müzakirələr qızışıb. Micron-un prezidenti Scott DeBoer bildirib ki, daxildə 4F² arxitekturasını uzun müddət qiymətləndirsələr də, şirkət 6F² yolunu davam etdirməyi və birbaşa 3D DRAM-a keçməyi qərara alıb, çünki onun fikrincə, 4F²-nin şaquli kanal tranzistorlarında davamlı genişlənmə imkanı yoxdur. Digər tərəfdən, ChangXin Storage əvvəllər ilin sonuna qədər 4F² arxitekturalı DDR5 məhsulu təqdim etməyi planlaşdırdığını açıqlamışdı və Samsung da həmin arxitekturanı 2028-ci ildə tətbiq etməyi nəzərdən keçirir.
Son zamanlar, qlobal yaddaş çip bazarı yeni bir dəyər dalğalanması və texnoloji yol mübahisəsi ilə qarşılaşıb. Kapital bazarında Philadelphia Semiconductor Index və yaddaş sektoru ciddi geriləmə yaşayıb; sənaye tərəfdən isə Changxin Storage-in 4F² DRAM arxitekturasında əldə etdiyi uğurlar geniş sektoral müzakirələrə səbəb olub.
21 oktyabrda, Micron-un prezidenti və baş texnologiya və məhsul rəhbəri Scott DeBoer bir texnologiya və məhsul veb-seminarına rəhbərlik etdi. Əsas mövzulardan biri, Changxin-in açıqladığı 4F² arxitektura planı nəticəsində investorlar arasında yaranan narahatlıqlara cavab vermək idi.
Scott DeBoer birbaşa qeyd etdi ki, Micron daxili olaraq uzun müddət 4F²-nin qiymətləndirilməsini və prototip testlərini aparsa da, mövcud 6F² yolunu davam etdirəcək və birbaşa 3D DRAM-a keçəcək. Micron hesab edir ki, uzunmüddətli inkişaf baxımından, 3D DRAM "miqyaslama və maliyyət səmərəliliyi"nə görə daha dəqiq bir seçimdir.
O əlavə izah edərək bildirdi ki, DRAM bit sıxlığı və maliyyətinin miqyaslanmasını təyin edən əsas amil kondensatorun ara məsafəsidir.4F² arxitekturasının şaquli kanal tranzistoru (VCAT) ara məsafəsinin daraldılmasından başqa əlavə miqyaslama yolu yoxdur.
Odaily Təhlil Masası xəbər verir ki, sonra UBS analitikləri Timothy Arcuri komandası araşdırma hesabatında qeyd edib ki, əgər Micron-un proqnozu doğru çıxarsa və sənaye son nəticədə 3D DRAM-a yönələrsə, depozisiya və aşındırma avadanlıqları təchizatçıları faydalana bilər.
Wall Street News əvvəlcə qeyd etmişdi ki, Changxin Storage prezidenti Cao Kanyu 10 oktyabrda açıqlamışdı ki, şirkət ilin sonuna 4F² arxitekturasına əsaslanan yeni nəsil DDR5 RDIMM təqdim etməyi planlaşdırır; əsas 6F² arxitekturası ilə müqayisədə çip sahəsi təxminən 30% daralır və bir vahid silikon lövhədən daha çox çip kəsilə bilər.
Micron-un əsas arqumenti: 4F² gələcəyə aparan yol deyil
Changxin 4F² texnologiyası sənaye tərəfindən yüksək diqqət cəlb etməsinin səbəbi, əsasən DRAM çipinin ən fundamental biznes problemi olan vahid silikon lövhədə bit sıxlığı (Bit Density) və maliyyəti hədəflədiyinə görədir.
Ənənəvi DRAM dizaynında, sektoral standart əsasən 6F² arxitekturasından istifadə edir. Əgər uğurla 4F²-ə keçilsə, eyni proses düyümlərində hüceyrə sahəsi təxminən 30%-dən çox kiçilə bilər və vahid silikon lövhədə effektiv Die-lərin (çip hissələri) sayı əhəmiyyətli dərəcədə artar.
UBS Micron-un texnologiya müzakirəsini izlədikdən sonra qeyd etdi ki, Micron bazara 4F²-nin kütləvi istehsalında müşahidə edilən çətinliklər barədə düşüncələrini çatdırıb:
Birinci,maneə kondensatorda, yox tranzistorda. Micron hesab edir ki, DRAM miniaturizasiyasının əsas maneəsi tranzistor hüceyrə strukturu deyil, kondensatorun ara məsafəsidir. Əgər kondensator ara məsafəsi eyni zamanda sıxılmasa, sadəcə olaraq 4F² arxitekturasına keçid davamlı maliyyət üstünlüyü yaratmaz.
İkinci, VCAT-nin miqyaslama limiti. 4F² arxitekturası adətən şaquli kanal tranzistoru (VCAT) tələb edir. Micron qeyd edir ki, VCAT ara məsafəsini sıxmaqdan başqa dayanıqlı inkişaf yolu yoxdur və ALD (Atomic Layer Deposition) və selektiv epitaksiya kimi texnologiyalar üçün yüksək istehsal çətinliyi yaradır, kütləvi istehsalda maliyyət sahə daralmasının faydasını azalda bilər.
Deutsche Bank analitiki Melissa Weathers öz sonrakı hesabatında qeyd etdi ki, Micron yalnız 4F² arxitekturasına keçməyi planlamadığını açıq şəkildə bildirib, həm də 4F² üzərində onilliklər ərzində daxili qiymətləndirmə və prototip inkişafı aparıb. Amma son nəticə budur ki: sektorda 3D DRAM-a keçidlə qədər, 6F² hələ də daha cəlbedici bir yol olaraq qalır.
Böyük şirkətlərin fərqli texnoloji yanaşmaları
UBS-in təhlili göstərir ki, Micron-un bu mövqeyi əslində paralel iki texnoloji yolun irəlilədilməsidir, bu şirkətin 1-beta düyümündə EUV texnologiyasından istifadə edib-etməməsində olduğu kimi yanaşmadır. Şirkət hesab edir ki, 3D DRAM sonunda onun yol xəritəsi ilə kəsişəcək və "daha miqyaslana bilən və maliyyət səmərəli" uzunmüddətli həll kimi görünür.
Ancaq Micron-un məntiqi bütün sənaye üzrə konsensus deyil.
UBS-in eyni dövrdə araşdırması göstərir ki, Changxin bu istiqamətdə tam gücü ilə irəlilədiyi halda, sənaye lideri Samsung-un da gələcək 0a nm düyümündə 4F² arxitekturasını tətbiq etməyi planlaşdırdığı bildirilir; bu, kondensatorun yüksək dərinlik/eni nisbətindən yaranan istehsal çətinliyini azaltmağa yönəlib.
Samsung planlaşdırır ki, 2027-ci ildə 1d nm düyümündə 6F²-nin kütləvi istehsalı başa çatdıqdan sonra, 2028-ci ilin sonuna qədər 0a nm düyümündə 4F²-nin tətbiqinə keçəcək.
Micron-un texnoloji fikirləri
Micron bu seminarla yalnız 4F² ilə bağlı şübhələri birbaşa cavablandırmadı, həm də özünün geniş texnoloji strategiyasını vurğuladı.
AI yaddaş xəritəsinin genişlənməsi: Micron vurğuladı ki, AI-nin yaddaşa olan tələbi yalnız tək səviyyəli train HBM-i deyil, həm də inferensiya, kənar AI, avtonom idarə üçün LPDDR6, DDR6, SOCAMM və 1TB həcmli RDIMM tələb edir.
İnkişaf etmiş qablaşdırma və məntiq inteqrasiyası: Micron hybrid bonding-i (qarışıq bəndləmə) gələcəyin 16-High və daha yüksək HBM spesifikasiyasında əsas müdafiə xətti kimi görür, həmçinin wafer foundry-lərlə əməkdaşlıqda vHBM (şaquli yaddaşın hesablama nüvəsinin üzərinə yığılması) inkişafını fəal şəkildə irəlilədilir. Micron göstərmək istəyir ki, AI dövründə yaddaş rəqabəti artıq "tək bit maliyyətinə nəzarət"dən "yaddaş, qablaşdırma və məntiq arxitekturasının sistem səviyyəli sinerjisinə" keçib.
NAND dəyərinin yenidən qurulması: Micron eyni zamanda 400-dən artıq təbəqəli Gen11 NAND yol xəritəsini təqdim etdi, AI dövründə yüksək IOPS və yüksək bant genişliyi üçün yüksək performanslı yaddaşa ehtiyac olduğunu vurğuladı və DRAM ilə NAND-in birgə müdafiə mexanizmi qurmağa çalışdı.
Changxin 4F²-nin real təsiri: bazar reaksiyası bəlkə də həddindən artıq qiymətləndirilir
Changxin-in 4F² açıqlamasının bazarda yaratdığı narahatlıqların qiymətləndirilməsi, bir neçə institut tərəfindən daha ehtiyatlı şəkildə edilib.
Nomura Securities hesab edir ki, 2028-ci ilədək 4F² və 3D DRAM-un proqnoz dövründə "heç bir real təsiri olmayacaq" və Changxin-in 4F²-nin kütləvi istehsalının yalnız 2027-2028-ci illərdə baş verəcəyi gözlənilir. CITIC Securities də bildirir ki, 4F² hazırda erkən test mərhələsindədir, məhsuldarlıq, istehsal həcmi və müştəri təsdiqi hələ müşahidə edilməlidir və orta müddətli yaddaş sənayesi strukturuna məhdud təsiri var.
Changxin-in sənayedəki mövqeyinə gəldikdə isə, HBM biznesi hələ başlanğıc mərhələdədir və qısa müddətdə AI hesablama tələbi ilə yaranan yüksək premiumu paylaşmaq çətin olacaq. Ümumi DRAM qiymətlərinin artım sürəti artıq gözə çarpacaq dərəcədə daraldığı üçün bu struktur xüsusiyyəti onun riskləri balanslaşdırmaq imkanını məhdudlaşdırır.
TrendForce-un izləmə məlumatları göstərir ki, ümumi DRAM müqavilə qiymətlərində ardıcıl artım artıq 2026-cı ilin birinci rübündə 93%-98%-dən başlayaraq, hər rübdə azalıb və üçüncü rübdə 13%-18% olub, dördüncü rübdə isə artımın daha 10%-15%-ə enəcəyi proqnozlaşdırılır.
İmtina: Bu məqalənin məzmunu yalnız müəllifin fikrini əks etdirir və platformanı heç bir şəkildə təmsil etmir. Bu məqalə investisiya qərarları qəbul etmək üçün istinad kimi nəzərdə tutulmayıb.
Siz də bəyənə bilərsiniz
Goldman Sachs Lam Research Group (LRCX.US) üçün "al" reytinqini saxlayır: üçüncü rüb nəticələri gözlənilən kimi oldu, 2027-ci il üçün WFE proqnozu 200 milyard dolları keçir.
Goldman Sachs Panlin Qrupuna "al" reytinqini qoruyur, hədəf qiyməti 380 ABŞ dollarıdır.
Goldman Sachs United Continental Airlines (UAL.US) üçün 50% daha artımı pozitiv dəyərləndirir: Artım tendensiyası davam edəcək, yanacaq xərcləri təzyiq göstərsə də, mənfəətlilik hələ də sektorda liderdir.
Goldman Sachs United Continental Airlines-ə “al” reytinqi verib, hədəf səhm qiymətini 152 dollar olaraq müəyyən edib; bu, cari səhm qiymətinə nisbətən hələ də 50% potensial artım imkanının olduğunu göstərir.
