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Conferencia telefónica de expertos en almacenamiento de Goldman Sachs Corea: el precio de la DRAM seguirá subiendo este año, el precio de la HBM se disparará el próximo año y la proporción de contratos a largo plazo seguirá aumentando.

Conferencia telefónica de expertos en almacenamiento de Goldman Sachs Corea: el precio de la DRAM seguirá subiendo este año, el precio de la HBM se disparará el próximo año y la proporción de contratos a largo plazo seguirá aumentando.

华尔街见闻华尔街见闻2026/07/30 00:56
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Por:华尔街见闻

Goldman Sachs organizó el 28 de julio un seminario de la red de expertos en almacenamiento de Corea y publicó el resumen el 29 de julio. Los expertos asistentes consideran que los precios tradicionales de DRAM mantendrán este año un sólido crecimiento de “doble dígito porcentual” y que HBM tiene el potencial de subir significativamente, incluso duplicarse, el próximo año. La fuerza vinculante de los acuerdos a largo plazo sobre el mercado se está fortaleciendo y la amenaza de competidores chinos es limitada a corto y mediano plazo. Goldman Sachs mantiene su recomendación de compra para Samsung Electronics.

Conferencia telefónica de expertos en almacenamiento de Goldman Sachs Corea: el precio de la DRAM seguirá subiendo este año, el precio de la HBM se disparará el próximo año y la proporción de contratos a largo plazo seguirá aumentando. image 0

DRAM sigue subiendo este año, HBM podría duplicarse el próximo año

Los expertos dieron una opinión clara sobre la tendencia de precios de DRAM este año.

Según el resumen, los expertos esperan que en el tercer trimestre de 2026 los precios tradicionales de DRAM experimenten un crecimiento “de doble dígito porcentual” respecto al trimestre previo, lo que coincide con el reciente repunte de los precios en el mercado spot. De cara al cuarto trimestre, gracias a la persistente escasez de oferta, creen que “es posible que los precios vuelvan a crecer a doble dígito” respecto al trimestre anterior.

Opinan que el lado de la oferta no muestra incrementos significativos, mientras que la demanda de servidores de IA mantiene la presión, por lo cual los precios son naturalmente propensos a subir y difícilmente bajarán.

La historia de HBM es aún más agresiva. Los expertos consideran que , debido a la subida de los precios tradicionales de DRAM, la fijación de precios de HBM el año que viene “podría duplicarse”. La propia previsión de Goldman Sachs es que el precio de HBM de Samsung aumentará un 87% interanual en 2027, cifra superior al consenso recopilado por Bloomberg, que es de 52%.

La fuerza vinculante de los acuerdos a largo plazo aumenta, más de la mitad de los DRAM para servidores ya están asegurados

La posibilidad de cumplir los precios depende de que los contratos se mantengan.

Según el resumen, los expertos señalan que los acuerdos a largo plazo (LTA) incluyen varias cláusulas de fuerte exigencia: grandes anticipos, cláusula “take-or-pay” (cobrar o pagar), y penalización por cancelación. Esto implica que, una vez firmado, el coste de salida para el comprador es muy elevado.

Actualmente, más de la mitad de los DRAM para servidores están cubiertos por LTA, y los expertos prevén que este porcentaje seguirá aumentando en el futuro.

¿Qué significa esto para los fabricantes de almacenamiento? Una mayor visibilidad de ingresos y mayor poder de negociación en precios. Goldman Sachs también señala en su argumento de inversión que, en comparación con el pasado, esta ronda de LTA tiene una fuerza vinculante más fuerte y ayudará a sostener las expectativas de rentabilidad de Samsung.

Los fabricantes chinos difícilmente serán una amenaza a corto y mediano plazo

El mercado siempre se ha preocupado por el impacto de la expansión de los fabricantes de almacenamiento chinos, pero los expertos son cautelosos al respecto.

Según el resumen, los expertos admiten que los proveedores chinos están ampliando activamente la producción pero consideran que “la posibilidad de que en el corto y mediano plazo se conviertan en una amenaza significativa para los fabricantes líderes es baja”. La razón es que los fabricantes chinos siguen teniendo diferencias respecto a los jugadores principales en rendimiento de producción y nivel tecnológico.

En otras palabras, ampliar la capacidad no equivale a mayor oferta efectiva y las barreras tecnológicas serán difíciles de superar en el corto plazo.

La expansión de capacidad se acelera, pero el crecimiento efectivo de bits es limitado

La capacidad se está ampliando, pero el aumento real de oferta no es equivalente.

Según el resumen, los expertos prevén que este año la velocidad de expansión de capacidad será superior a la media histórica. Sin embargo, dado que la proporción de HBM en las obleas (trade ratio) es más alta—para producir la misma cantidad de HBM se consumen más obleas de DRAM—el crecimiento efectivo de bits será probablemente inferior al promedio histórico.

Esto es clave para entender la estructura actual de oferta y demanda: la expansión de capacidad aparenta ser importante, pero en realidad la oferta efectiva para DRAM tradicional no está aumentando de igual manera, lo que constituye la razón estructural detrás del sostenido aumento de precios.

Tecnología de unión híbrida: avance progresivo, no una revolución inmediata

En la hoja de ruta tecnológica de HBM, la unión híbrida (hybrid bonding) es vista como la próxima generación, pero los expertos son cautelosos respecto a su despliegue.

Según el resumen, los expertos consideran que, con el aumento en el número de capas apiladas en los chips DRAM, la tecnología de unión actual enfrentará mayores desafíos. Sin embargo, no esperan que la unión híbrida sea adoptada masivamente antes de tiempo, pues “alcanzar suficiente rendimiento en escala de producción requiere mucho tiempo y esfuerzo”.

Los expertos creen que los fabricantes de almacenamiento explorarán múltiples opciones tecnológicas, incluyendo la unión sin fundente (fluxless bonding), avanzando gradualmente en la adopción de unión híbrida en vez de hacerlo todo de una vez.

Con base en estos análisis, Goldman Sachs mantiene su recomendación de compra para las acciones ordinarias de Samsung Electronics, con un precio objetivo a 12 meses de 480.000 wones y 360.000 wones para las preferentes.

El informe destaca que Samsung ya ha mostrado “avances significativos” en el área de HBM y, sumando las mayores expectativas de retorno para los accionistas, mantiene una opinión positiva sobre el papel. Los principales riesgos a la baja incluyen: deterioro sustancial de la oferta y demanda en almacenamiento, reducción abrupta del margen de beneficio en el negocio de smartphones y pérdida de cuota de mercado en pantallas OLED móviles.

 

 

 

 

 

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Descargo de responsabilidad: El contenido de este artículo refleja únicamente la opinión del autor y no representa en modo alguno a la plataforma. Este artículo no se pretende servir de referencia para tomar decisiones de inversión.

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