¡38 mil millones de dólares! SK Hynix construirá dos nuevas fábricas de chips de memoria y la capacidad de producción se expandirá gradualmente según la demanda de los clientes.
En medio de la ola de IA, el líder en chips de almacenamiento está ampliando aún más su capacidad productiva. SK海力士 anunció una inversión de aproximadamente 54.3 billones de wones surcoreanos (unos 38.282 millones de dólares) para construir dos nuevas fábricas de obleas en Yongin y Cheongju, Corea del Sur. Ampliará sus bases de producción de DRAM y NAND, aumentando gradualmente la capacidad de acuerdo con la demanda de los clientes, para satisfacer el crecimiento impulsado por la inteligencia artificial en HBM y almacenamiento avanzado.
El 7 de agosto, según informó Yonhap News Agency, el directorio aprobó una inversión de 35.2 billones de wones en la segunda fábrica de obleas de Yongin (Y2), y 19.1 billones de wones en la planta M17 de Cheongju. SK海力士 afirmó que, en la era de la IA, la capacidad de proporcionar a los clientes lo que necesitan cuando lo requieren es una competencia clave.
Según el plan, ambas fábricas completarán su inversión antes de 2031, y el primer cuarto limpio está previsto para iniciar operaciones entre finales de 2028 y 2029. Esto significa que SK海力士 asegura con antelación la capacidad de almacenamiento avanzado para los próximos años, consolidando su ventaja en los mercados de HBM y la próxima generación de DRAM.
Yongin Y2 se enfoca en HBM y la próxima generación de DRAM
Yongin Y2 es la segunda fábrica de obleas dentro del plan del clúster de semiconductores de SK海力士 en Yongin, con una superficie de construcción de aproximadamente 341 mil pyeong. Se espera iniciar la construcción en julio del próximo año y que el primer cuarto limpio entre en funcionamiento en junio de 2029, dedicado principalmente a producir HBM y otros productos DRAM de nueva generación.
La inversión abarca, además de las instalaciones de producción, un centro integral de I+D, infraestructura para empleados y otras edificaciones auxiliares. Al mismo tiempo, la construcción de la primera fábrica de obleas en Yongin (Y1) avanza de manera satisfactoria, y el primer cuarto limpio estará operativo en febrero del próximo año.
Cabe destacar que SK海力士 ha adelantado el plan de construcción de las cuatro fábricas del clúster de semiconductores de Yongin de 2045 a 2033. Actualmente, la infraestructura básica para la operación de Y2, como energía y suministro de agua, tiene un avance del 99%.
Cheongju M17 mejora aún más la capacidad de NAND
La otra inversión será destinada a la planta M17 de Cheongju, con una inversión total de 19.1 billones de wones. Se planea iniciar su construcción en febrero del próximo año y abrir el primer cuarto limpio en diciembre de 2028.
Cheongju ha sido la base de producción de flash NAND de SK海力士, donde ya existen las plantas M11, M12 y M15, entre otras. La compañía señala que la nueva fábrica aprovechará la infraestructura local existente, como terrenos, energía y agua, para acelerar los trabajos y, mediante la producción conjunta, mejorar aún más la eficiencia operativa.
La demanda de IA impulsa la expansión, pero la puesta en marcha se mantiene gradual
Aunque la escala de esta inversión marca un récord, SK海力士 no liberará toda la capacidad de producción de una sola vez, sino que seguirá con la estrategia de "primero la infraestructura, luego los equipos según demanda".
La empresa planea terminar primero la construcción de las fábricas e infraestructura, y después ampliar cuartos limpios e invertir en equipos según la demanda de los clientes y las condiciones del mercado, garantizando la capacidad de suministro y controlando la eficiencia del capital invertido.
Esta decisión representa la ejecución de la estrategia de inversión a medio y largo plazo anunciada por SK海力士 en junio. Según el plan, la compañía invertirá unos 600 billones de wones en el clúster de semiconductores de Yongin y sumará otros 100 billones de wones en la base productiva de Cheongju, para responder a la creciente demanda global de chips de almacenamiento en la era de la IA.
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