Resposta positiva à inovação da Changxin 4F2, CTO da Micron: 3D DRAM é “mais escalável e econômico a longo prazo”
O mercado global de chips de armazenamento tem passado por flutuações de avaliação recentemente, e o debate sobre as direções tecnológicas está esquentando. O presidente da Micron, Scott DeBoer, afirmou que, apesar de avaliações internas sobre a arquitetura 4F² terem sido feitas por um longo período, a empresa continuará seguindo a rota 6F² e avançará diretamente para o DRAM 3D, pois acredita que os transistores de canal vertical da arquitetura 4F² não possuem um caminho sustentável para escalabilidade. Em comparação, a ChangXin Storage declarou anteriormente que planeja lançar produtos DDR5 com arquitetura 4F² até o final do ano, e a Samsung também considera introduzir essa arquitetura em 2028.
Recentemente, o mercado global de chips de armazenamento testemunhou uma nova rodada de oscilações de avaliação e debates sobre rotas tecnológicas. No mercado de capitais, o índice de semicondutores da Filadélfia e o segmento de armazenamento sofreram recuos consideráveis; enquanto no setor industrial, o avanço revolucionário da ChangXin Memory sobre a arquitetura de DRAM 4F² desencadeou uma ampla discussão na indústria.
Em 21 de outubro, Scott DeBoer, presidente e diretor de tecnologia e produto da Micron, presidiu um webinar técnico e de produto, cujo principal tema foi responder às preocupações dos investidores desencadeadas pelo anúncio anterior da ChangXin sobre os planos para a arquitetura 4F².
Scott DeBoer afirmou diretamente que embora internamente tenham avaliado e validado protótipos da 4F² por um longo tempo, a Micron continuará aderindo à atual rota 6F², migrando diretamente para a 3D DRAM no futuro. Na visão da Micron, sob a perspectiva de evolução de longo prazo, a 3D DRAM é a escolha mais definitiva em termos de “escalabilidade e custo-benefício”.
Ele explicou ainda que o fator decisivo para a densidade de bits e expansão de custos da DRAM é o espaçamento dos capacitores.A arquitetura 4F² baseada em transistores de canal vertical (VCAT) não tem um caminho viável de expansão além da redução do espaçamento.
De acordo com o Trading Desk da Trend Investing, o relatório da equipe do analista Timothy Arcuri, do UBS, apontou que se o juízo da Micron estiver correto e a indústria migrar para a 3D DRAM, fornecedores de equipamentos de deposição e gravação poderão se beneficiar.
Conforme mencionado anteriormente pelo Notícias de Wall Street, o presidente da ChangXin Memory, Cao Kanyu, revelou em 10 de outubro que a empresa planeja lançar até o fim do ano uma nova geração de DDR5 RDIMM baseada na arquitetura 4F², que pode reduzir a área do chip em cerca de 30% em comparação à arquitetura 6F² convencional, permitindo cortar mais chips em cada wafer.
Ponto central da Micron: 4F² não é o caminho para o futuro
A tecnologia 4F² da ChangXin atraiu tanta atenção na indústria porque aborda diretamente o principal desafio comercial dos chips DRAM — densidade de bits por wafer e custo.
No design tradicional de DRAM, o mercado geralmente adota a arquitetura 6F². Se a transição para 4F² for bem-sucedida, teoricamente é possível reduzir a área da célula em mais de 30% no mesmo nó de processo, aumentando significativamente o rendimento de dies (chips) por wafer.
Após acompanhar o diálogo técnico com a Micron, o UBS destacou que a Micron expôs ao mercado sua avaliação dos gargalos para a produção em massa da 4F²:
Primeiro,o gargalo está no capacitor e não no transistor. Para a Micron, o limite fundamental da miniaturização DRAM é o espaçamento do capacitor, e não apenas a estrutura do transistor. Se o espaçamento do capacitor não puder ser comprimido simultaneamente, simplesmente mudar para a estrutura 4F² não se traduzirá linearmente em uma vantagem de custo sustentável.
Segundo, o teto da escalabilidade do VCAT. A estrutura 4F² normalmente necessita da introdução de transistores de canal vertical (VCAT). Segundo a Micron, além da compressão contínua do espaçamento, o VCAT carece de uma rota evolutiva sustentável e impõe altas demandas de complexidade de fabricação aos processos ALD (Deposição por Camada Atômica) e epitaxia seletiva, tornando o custo de produção em massa potencialmente capaz de anular os ganhos de redução de área.
De acordo com o relatório pós-evento da analista Melissa Weathers, do Deutsche Bank, a Micron não só deixou claro que não planeja migrar para a arquitetura 4F², como também enfatizou que, após décadas de avaliação interna e desenvolvimento de protótipos, a conclusão final foi: até o setor caminhar para a 3D DRAM, a 6F² segue sendo a rota mais atraente.
Diferenças significativas de estratégia tecnológica entre fabricantes
A análise do UBS destaca que a postura da Micron, na verdade, representa o desenvolvimento paralelo de dois caminhos tecnológicos, semelhante à sua estratégia dupla sobre o uso ou não de EUV no nó 1-beta. A empresa acredita que a 3D DRAM, eventualmente, irá confluir ao seu roadmap e que este é o caminho “mais escalável e com melhor relação custo-benefício” a longo prazo.
No entanto, a lógica da Micron não representa o consenso de todo o setor.
Segundo pesquisa simultânea do UBS, além da aposta total da ChangXin nessa direção, circulam rumores de que a líder do setor, Samsung, também planeja considerar a introdução do 4F² em futuros nós 0a nm, a fim de aliviar a dificuldade de fabricação devido às altas taxas de aspecto dos capacitores.
A Samsung planeja, após concluir a produção em massa do nó 1d nm em 6F² em 2027, avançar para a adoção do 4F² no nó 0a nm até o final de 2028.
Narrativa tecnológica da Micron
Além de responder diretamente às dúvidas sobre a 4F², a Micron também aproveitou o seminário para destacar sua estratégia tecnológica ampla.
Expansão do Mapa de Memória em IA: A Micron enfatizou que a demanda por memória em IA não se limita ao HBM usado em treinamento, mas também inclui LPDDR6, DDR6, SOCAMM e RDIMM de 1TB necessários para inferência, edge AI e direção autônoma.
Empacotamento avançado e integração lógica: A Micron considera a ligação híbrida (Hybrid Bonding) como o principal diferencial competitivo para HBM de 16 camadas e superiores, promovendo também o desenvolvimento do vHBM (memória empilhada verticalmente sobre o núcleo de computação) em colaboração com foundries. A Micron busca demonstrar que, na era da IA, a competição em armazenamento já evoluiu do “controle de custo por bit” para a “colaboração sistêmica entre memória, empacotamento e arquitetura lógica”.
Redefinição de valor do NAND: A Micron também apresentou seu roadmap de mais de 400 camadas de Gen11 NAND, ressaltando a crescente demanda por armazenamento de alto desempenho focada em alta IOPS e largura de banda na era da IA, buscando construir uma barreira abrangente de colaboração entre DRAM e NAND.
O impacto real do 4F² da ChangXin: reação do mercado pode estar superestimada
Em relação às preocupações de mercado desencadeadas pelo anúncio do 4F² da ChangXin, várias instituições já haviam realizado avaliações cautelosas.
O Nomura Securities acredita que tanto a 4F² quanto a 3D DRAM “não terão impacto substancial” durante o horizonte observado até 2028, sendo que a produção em massa da 4F² da ChangXin só deve acontecer entre 2027 e 2028. O CITIC Securities também alerta que, no momento, a 4F² está em fase inicial de validação, com rendimentos, produção e certificação de clientes ainda a serem observados, tendo influência limitada sobre a estrutura do setor de armazenamento no médio prazo.
No que diz respeito à posição da ChangXin no setor, seu negócio de HBM ainda está em fase inicial, sendo difícil captar no curto prazo os altos prêmios desse segmento impulsionados pelo poder computacional da IA. Diante do evidente abrandamento do ritmo de aumento de preços da DRAM convencional, essa característica estrutural limita seu espaço para proteger margens.
Segundo monitoramento da TrendForce, o preço contratual da DRAM convencional, apesar do aumento trimestral de 93%–98% observado no primeiro trimestre de 2026, foi reduzindo para 13%–18% no terceiro trimestre e deve cair ainda mais para 10%–15% no quarto trimestre.
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