棄4F²、HBM4量產、G11 NAND提速……美光(MU.US)技術研討會亮明路線圖，小摩維持「增持」評級

智通財經APP獲悉，摩根大通最新研報指出，美光科技(MU.US)在10月21日舉辦的投資者技術網絡研討會上，詳細展示了其在DRAM、HBM和NAND三大核心產品線上的最新技術創新與長期規劃。該行以Harlan Sur為首的分析師團隊認為，美光的技術路線圖清晰且具備前瞻性，有望在AI驅動的儲存需求爆發中持續受益，因此維持其「增持」評級。

堅守6F² DRAM架構，並行推進3D DRAM

摩根大通在報告中指出，在DRAM架構演進方面，美光明確回應了業界關於6F²與4F²的技術路線之爭。美光表示，下一代DRAM節點將繼續採用6F²架構，而非4F²。公司對其通過嚴格的節點微縮、工藝創新及產品級優化來保持功耗與性能的領先地位充滿信心。

美光透露，其針對4F² DRAM的研究已長達約20年，但最終決定不予採用，主要因為該架構工藝複雜性增加、成本更高，且公司認為其微縮帶來的收益有限。

摩根大通在研報中詳細指出了4F²架構在製造環節面臨的三大挑戰：首先，該架構需要更密集的沉積與蝕刻工藝，顯著增加了良率出問題的概率；其次，4F²具有更嚴苛的工藝公差要求（如套刻、對準等），給可製造性和良率帶來更大壓力；最後，該架構本身容易引發「浮體效應」(Floating Body Effect)，導致電荷被困在電晶體溝道內，從而引發性能下降和漏電問題。

此外，美光還反駁了4F²在密度上優於6F²的觀點，強調DRAM的位元密度最終是由電容節距（Capacitor Pitch）決定，而非底層的互連節距（Interconnect Pitch）。

根據目前公布的路線圖，美光在未來幾代DRAM節點中將持續利用基於6F²的平面架構（預計將延續至2030年），同時並行開發3D DRAM技術。

HBM路線圖全面拓寬，客製化與垂直堆疊成焦點

在備受關注的HBM領域，美光表示HBM4目前已進入大規模量產階段，爬坡進展順利，而下一代HBM4E也已在路線圖上，公司今年正向關鍵客戶送樣。

展望未來，美光預計標準HBM與客製HBM將長期共存。客製HBM通過將記憶體IP與邏輯IP整合到基底裸片（Base Die）中，能夠實現更深入的客戶協同設計。美光團隊指出，未來標準JEDEC HBM和客製HBM產品都將採用代工節點，其中HBM4E由於對速度、功耗和功能的要求更高，將需要更先進的CMOS工藝。

除了標準與客製HBM，美光還重點強調了垂直HBM（Vertical HBM）和垂直邊緣推理記憶體（vEIM）兩種重要的長期記憶體架構。垂直HBM通過將記憶體直接放置在處理器上方，縮短儲存與運算之間的路徑，從而提供大幅提升的頻寬；而vEIM採用類似方法，但專門針對低功耗的邊緣AI推理場景進行最佳化（即垂直HBM主打高頻寬，vEIM主打低功耗）。

美光強調，混合鍵合、更高堆疊層數、先進熱管理以及客戶協同設計在HBM路線圖中的重要性日益凸顯。不過，隨著HBM、垂直HBM和vEIM的推進，相比標準DRAM產出，這些產品需要消耗更多的晶圓，這也意味著晶圓‑比特產出換算比將持續承壓。

NAND跨代升級至G11，AI級產品拓展市場空間

在NAND領域，美光在經歷了從G7到G9連續三個領先節點後，將直接跨越至針對AI工作負載最佳化的G11節點。相較於G9，G11的目標是實現約2倍的位元密度、最高1.5倍的I/O速度提升，並將每位元資料傳輸能耗降低超過25%，堆疊層數將超過400層。

G11節點也標誌著美光在NAND製造上正式引入晶圓對晶圓（Wafer-on-Wafer）鍵合技術。公司預計G11將於2027年下半年放量，並計畫在明年公布更多細節。此外，美光還計畫透過新材料和更高密度的單元架構，在G11之後繼續保持微縮。

在產品層面，美光正在構建兩款AI級NAND產品：一是基於高速SLC的設計（提供2500萬至1億IOPS），專為GPU在向量搜尋和AI上下文檢索等任務中提取海量小資料塊而設計；二是通過TSV將NAND裸片堆疊在邏輯晶片上，從而將模型權重、長上下文和KV快取放置在更靠近加速器的位置（並非直接放在GPU旁，因為美光認為這樣並無收益）。鑒於成本較高，美光正與客戶共同開發第二款產品，預計兩款產品的市場占比將因終端市場而異。

在資料中心SSD方面，美光已是首家量產PCIe Gen6 SSD並出貨245TB硬碟的廠商，其先進節點帶來的更低單位位元成本有望支撐高容量硬碟的進一步增長。摩根大通認為，美光的NAND路線圖使其能夠充分受益於AI驅動的儲存需求增長，並有望保持或擴大其全球前三大企業級SSD（eSSD）市場份額。

深化客戶協同與長週期研發，AI工具大幅提升效率

美光詳細闡述了其客戶合作模式的重大轉變。相比三到四年前，目前的合作從概念階段即已開始，貫穿聯合設計、認證直至量產，其中包括與多家雲端服務供應商（CSP）的客製項目。例如，美光正為Meta(META.US)客製用於資料中心部署的LPDDR6；而Weka則從Micron Ventures的投資組合公司演變為商業合作夥伴。

在研發方面，美光的長期投資已跨越三個時間維度：一是承諾在3至10年內向Micron Ventures投入5.5億美元；二是在5至10年內與Albany NanoTech/NY CREATES合作開發面向DRAM的高數值孔徑（High-NA）EUV及光刻路線圖；三是今年夏季宣布的、著眼10年以上週期的100億美元美光研究實驗室。

此外，美光正將AI技術全面部署於從早期研究到晶圓廠的全開發周期。數據顯示，在其最新的資料中心SSD控制器上，AI輔助的晶片設計與驗證將流片時間較上一代縮短了一半；AI生成的韌體、根本原因分析和智慧測試選擇，將資料中心SSD實現客戶就緒矽晶片的路徑縮短了60%。

美光的目標是將從創新到大規模量產（HVM）的路徑提速2倍，並正在深化與光刻、封裝/混合鍵合以及薄膜處理等領域的供應商合作。摩根大通認為，這些努力對於美光並行推進更多項目的能力至關重要。