Llamada de expertos en almacenamiento de Goldman Sachs Corea: los precios de la DRAM seguirán subiendo este año, los precios del HBM aumentarán drásticamente el próximo año y la proporción de contratos a largo plazo continuará expandiéndose.

Goldman Sachs celebró el 28 de julio un seminario web de expertos sobre almacenamiento en Corea y publicó el resumen el 29 de julio. Los expertos presentes consideran que el precio tradicional de DRAM mantendrá este año un crecimiento fuerte de “doble dígito”, mientras que HBM tiene potencial de subir significativamente, incluso duplicarse el año que viene. La fuerza vinculante de los acuerdos a largo plazo en el mercado está aumentando y la amenaza de los competidores chinos es limitada en el corto y mediano plazo. Goldman Sachs mantiene la recomendación de compra sobre Samsung Electronics.

DRAM sigue subiendo este año, HBM podría duplicarse el próximo

Los expertos dieron una evaluación clara sobre la tendencia de precios de DRAM este año.

De acuerdo al resumen, los expertos esperan que en el tercer trimestre de 2026 los precios tradicionales de DRAM logren un crecimiento intertrimestral de “doble dígito”, lo cual coincide con el fuerte repunte reciente de los precios al contado. Entrando al cuarto trimestre, impulsados por la persistente escasez de suministro, los expertos creen que “lograr nuevamente un crecimiento intertrimestral de doble dígito” también es posible.

Consideran que, dado que la oferta no ha aumentado notablemente y la demanda de servidores AI sigue impulsando el mercado, la tendencia de los precios es naturalmente más fácil de subir que de bajar.

La historia de HBM es aún más agresiva. Los expertos afirman que, debido al aumento de precios de DRAM, el precio de HBM tiene “posibilidad de duplicarse el año que viene”. La propia previsión de Goldman Sachs es que el precio de HBM de Samsung tendrá un aumento anual del 87% para 2027, cifra superior al consenso de venta de Bloomberg, que es del 52%.

Mayor fuerza de vinculación en acuerdos largos, más de la mitad del DRAM de servidores ya está asegurado

La realización de los precios depende de la solidez de los contratos.

Según el resumen, los expertos señalan que los acuerdos a largo plazo (LTA) incluyen varias cláusulas muy restrictivas: grandes anticipos de pago, cláusula de “take-or-pay” y penalidades por anulación del contrato. Esto significa que una vez firmado, el costo de salida para el comprador es muy alto.

Actualmente, más de la mitad del DRAM de servidores está cubierto por LTA, y los expertos prevén que este porcentaje seguirá aumentando en el futuro.

¿Qué implica esto para los fabricantes de almacenamiento? Mayor previsibilidad de ingresos y más poder para negociar precios. Goldman Sachs también señala en su tesis de inversión que, en comparación con el pasado, esta ronda de LTA tiene mayor fuerza restrictiva, lo cual favorece las expectativas de rentabilidad de Samsung.

Difícil que fabricantes chinos sean una amenaza a corto y mediano plazo

El mercado ha temido el impacto de la expansión de fabricantes chinos, pero los expertos mantienen reservas al respecto.

De acuerdo al resumen, los expertos reconocen que los proveedores chinos están expandiendo la producción activamente, pero creen que “la probabilidad de que se conviertan en una amenaza significativa para los líderes del sector en el corto y mediano plazo es baja”. La razón es que los fabricantes chinos aún presentan diferencias significativas en rendimiento de producción y nivel tecnológico frente a los jugadores principales.

En otras palabras, la escala de expansión no equivale a una oferta efectiva y las barreras tecnológicas no se pueden superar fácilmente en el corto plazo.

La expansión de capacidad se acelera, pero el crecimiento efectivo de bits está limitado

La capacidad está aumentando, pero el incremento real de oferta no es equivalente.

Según el resumen, los expertos prevén que la velocidad de expansión de capacidad este año será superior a los niveles históricos. Sin embargo, debido a que HBM ocupa una proporción mayor de obleas (trade ratio) — es decir, producir la misma cantidad de HBM requiere consumir más obleas DRAM — el crecimiento efectivo de bits se espera que esté por debajo del promedio histórico.

Esta es la clave para entender la situación actual de oferta y demanda: superficialmente la capacidad está expandiéndose, pero la oferta efectiva para DRAM tradicional no aumenta de manera sincronizada, lo que constituye la razón estructural detrás del continuo aumento de precios.

Tecnología de unión híbrida: avance progresivo, no ruptura acelerada

En la hoja de ruta tecnológica de HBM, la unión híbrida (hybrid bonding) es considerada la próxima generación, pero los expertos son cautelosos sobre su ritmo de implementación.

Según el resumen, los expertos consideran que a medida que se incrementa el número de capas apiladas en los chips DRAM, la tecnología actual enfrenta desafíos cada vez mayores. Sin embargo, no prevén que la unión híbrida se adopte masivamente antes de tiempo porque “lograr una tasa de rendimiento suficiente a escala de producción requiere mucho tiempo y esfuerzo”.

Los expertos consideran que los fabricantes explorarán múltiples caminos tecnológicos, incluidos la unión sin fundente (fluxless bonding), y avanzarán de forma progresiva, no de manera abrupta, en la introducción de la unión híbrida.

Con base en estas evaluaciones, Goldman Sachs mantiene la recomendación de compra sobre acciones ordinarias de Samsung Electronics, con precio objetivo a 12 meses de 480,000 won, y para las preferentes de 360,000 won.

El informe destaca que Samsung ya muestra “avances significativos” en el ámbito de HBM, y sumado a mayores expectativas de retorno para los accionistas, mantiene una visión positiva sobre el valor de la acción. Los principales riesgos a la baja incluyen: fuerte deterioro entre oferta y demanda de memoria, caída abrupta en el margen de negocios de smartphones y pérdida de cuota en el mercado de OLED móviles.